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半导体所等在砷化镓（GaAs）中产生自旋极化研究方面取得进展
 评论 ⋅  2024-07-22 11:42
中科院物理所在集成有亚波长光栅的台面型InGaAs基短波红外偏振探测器取得进展
 评论 ⋅  2022-11-29 09:29
InGaAs单光子探测芯片设计制造领域重要进展
 评论 ⋅  2022-05-25 09:42
军民融合+进口替代正当时——世界领先的GaAs和GaN混合集成微波功率放大器量产
 评论 ⋅  2020-06-24 16:25
台湾交通大学激光60周年系列专文：介绍GaAs及GaN VCSEL
台湾交通大学激光60周年GaAsGaNVCSEL
 评论 ⋅  2020-05-19 13:17
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