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我国首次突破沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术
 评论 ⋅  2024-09-03 16:46
国际首次！南大团队将二维半导体集成电路推向千兆赫兹
 评论 ⋅  2023-10-30 17:44
镓和半导体展示多规格氧化镓单晶衬底并首次公开发布4英寸（100）面单晶衬底参数
 评论 ⋅  2023-10-24 16:35
国内首次太赫兹轨道角动量的实时无线传输通信实验完成 6G关键技术有新突破
 评论 ⋅  2023-04-19 18:11
中国科大首次实现基于碳化硅中硅空位色心的高压原位磁探测
 评论 ⋅  2023-03-28 17:16
国际首次！科研团队在基于碳化硅硅空位色心的高压原位磁探测研究方面取得突破
 评论 ⋅  2023-03-24 13:35
全球首次！全球首次实现室温下连续波深紫外激光输出
 评论 ⋅  2022-11-25 21:10
清华团队基于二维面内异质结首次同步实现热/电整流
 评论 ⋅  2022-10-17 15:53
清华团队基于二维面内异质结首次同步实现热/电整流
 评论 ⋅  2022-10-14 18:09
中山大学研究团队首次实现了基于ε-Ga2O3薄膜的SAW射频谐振器
 评论 ⋅  2022-10-12 18:05
郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2氧化镓二极管并首次在氧化镓中实现空穴超注入效应
 评论 ⋅  2022-08-28 09:13
中国科学院上海微系统与信息技术研究所团队首次采用GNR边缘接触制备出目前世界上最小尺寸相变存储单元器件
 评论 ⋅  2022-08-09 17:34
国家纳米科学中心刘新风研究团队首次测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率
 评论 ⋅  2022-07-25 09:42
国际首创！浙大杭州科创中心首次采用新技术路线成功制备2英寸氧化镓晶圆
 评论 ⋅  2022-05-07 07:41
中科大首次实现芯片集成冷原子磁光阱系统 推动量子技术应用
 评论 ⋅  2022-03-29 10:57
清华大学团队首次实现了具有亚1nm栅极长度的晶体管
 评论 ⋅  2022-03-11 10:35
世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上氧化镓成膜成功
HVPE法6英寸晶片氧化镓成膜
 评论 ⋅  2022-03-02 09:24
中国科大潘建伟院士团队等与海外团队合作《Science》发文报道首次观测到费米超流中的熵波临界发散
 评论 ⋅  2022-02-11 10:55
首次成功将超薄半导体和超导体结合，实现以零电阻导电
 评论 ⋅  2022-01-28 10:10
国际首次 | β相氧化镓功率品质因子国际首次超越SiC理论极限
 评论 ⋅  2022-01-19 11:23
科学家首次成功超导体与半导体结合
科学家成功超导体半导体结合
 评论 ⋅  2021-08-11 11:00
玻璃衬底上首次“异质外延”出准单晶氮化镓薄膜
玻璃衬底异质外延准单晶氮化镓薄膜
 评论 ⋅  2021-08-02 09:47
国际首次！上海光机所这一重要研究成果登上Nature封面
上海光机所研究成果Nature封面
 评论 ⋅  2021-07-26 15:06
复旦大学田朋飞课题组首次利用micro-LED集成芯片实现水下双工无线光通信和水下充电集成系统构建
复旦大学田朋飞课题组micro-LED水下双工无线光通信水下充电集成系统构建
 评论 ⋅  2021-04-28 15:17
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