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1万伏！我国实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程突破
 评论 ⋅  2024-11-05 09:24
丰田合成、大阪大学等 成功制备6吋GaN衬底
 评论 ⋅  2024-03-11 16:54
碳化硅单晶衬底的常用检测技术
 评论 ⋅  2024-01-25 21:07
新进展！西安交通大学实现2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底量产
金刚石半导体MPCVD异质外延2英寸量产
 评论 ⋅  2024-01-05 11:40
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石SiCGaN衬底
 评论 ⋅  2024-01-04 09:28
镓和半导体展示多规格氧化镓单晶衬底并首次公开发布4英寸（100）面单晶衬底参数
 评论 ⋅  2023-10-24 16:35
世界最好水平！奥趋光电推出新一代超高透过率AlN单晶衬底
 评论 ⋅  2023-06-12 09:28
简述碳化硅衬底制备的重点与难点
 评论 ⋅  2023-04-10 14:05
简述Ir衬底上金刚石半导体异质外延生长技术与机理研究进展
 评论 ⋅  2023-02-02 19:09
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件
 评论 ⋅  2022-12-14 10:27
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！
 评论 ⋅  2022-12-09 16:14
GaN衬底研发获新突破！
 评论 ⋅  2022-12-01 10:25
西安交大王宏兴教授团队在单晶金刚石衬底技术产业化上取得重大进展
 评论 ⋅  2022-10-25 21:47
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势综述
 评论 ⋅  2022-10-10 15:59
深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT
 评论 ⋅  2022-09-22 08:56
山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学晶体材料4HSiC衬底8英寸
 评论 ⋅  2022-09-21 08:45
技术分享：基于氮化镓单晶衬底的增强型氮化镓HEMTs
 评论 ⋅  2022-09-15 17:03
超芯星6英寸碳化硅衬底进入美国高端市场
 评论 ⋅  2022-07-26 18:00
在纳米图案化蓝宝石衬底（NPSS）上实现AlGaN基高效多量子阱的生长
 评论 ⋅  2022-07-12 14:59
GaN单晶衬底减薄新技术
 评论 ⋅  2022-05-16 14:56
金刚石MOSFET器件最新成果！在(111)金刚石衬底上成功制备高性能C-Si MOSFET器件
 评论 ⋅  2022-04-25 10:43
玻璃衬底上首次“异质外延”出准单晶氮化镓薄膜
玻璃衬底异质外延准单晶氮化镓薄膜
 评论 ⋅  2021-08-02 09:47
致力于6英寸碳化硅衬底研发，江苏超芯星完成天使轮投资
6英寸碳化硅衬底研发苏超芯星天使轮投资
 评论 ⋅  2020-03-16 10:13
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