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12英寸碳化硅衬底实现激光剥离
 评论 ⋅  2025-03-28 15:14
重磅发布｜九峰山实验室GaN系列成果首次发布！
九峰山实验室GaN研究成果8英寸氮化镓衬底
 评论 ⋅  2025-03-24 09:29
全球首发! 杭州镓仁发布首颗8英寸氧化镓单晶，开启第四代半导体氧化镓新时代
 评论 ⋅  2025-03-05 16:44
香港大学等联合开发革命性钻石制备技术 10秒产出2英寸金刚石晶圆
 评论 ⋅  2024-12-24 16:58
中欣晶圆12英寸BCD硅片产品取得技术突破
 评论 ⋅  2024-11-29 11:57
杭州镓仁半导体实现直拉法2英寸N型氧化镓单晶生长
 评论 ⋅  2024-11-29 09:51
1万伏！我国实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程突破
 评论 ⋅  2024-11-05 09:24
镓仁半导体：铸造法成功生长超厚6英寸氧化镓单晶！
 评论 ⋅  2024-10-29 19:59
日本FOX公司计划2028年量产6英寸氧化镓晶圆
 评论 ⋅  2024-10-21 17:07
北京大学王新强教授团队：推动高功率UVC-LED晶圆进入低成本4英寸时代！
 评论 ⋅  2024-09-12 20:45
新进展！西安交通大学实现2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底量产
金刚石半导体MPCVD异质外延2英寸量产
 评论 ⋅  2024-01-05 11:40
镓和半导体展示多规格氧化镓单晶衬底并首次公开发布4英寸（100）面单晶衬底参数
 评论 ⋅  2023-10-24 16:35
重大进展！中国团队成功实现12英寸二维半导体晶圆批量制备技术
 评论 ⋅  2023-07-12 10:16
中科院科学家在8英寸碳化硅单晶研制中获进展
 评论 ⋅  2023-07-04 09:59
国内8英寸SiC传来新进展！
 评论 ⋅  2023-06-26 11:52
成果上新！8英寸导电型碳化硅研制获得成功
 评论 ⋅  2023-05-15 18:05
科友6/8英寸碳化硅规模化生产取得重大技术突破
 评论 ⋅  2023-05-12 17:05
国内首家！厦门大学实现8英寸碳化硅外延生长
 评论 ⋅  2023-03-17 12:43
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！
 评论 ⋅  2023-03-08 10:00
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！
 评论 ⋅  2022-12-09 16:14
4英寸氧化镓单晶生长与性能分析
 评论 ⋅  2022-11-23 16:54
山东大学成功研制高质量4英寸氧化镓晶体
 评论 ⋅  2022-09-28 15:53
山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学晶体材料4HSiC衬底8英寸
 评论 ⋅  2022-09-21 08:45
【成果转化】6 英寸 650V-1200V 碳化硅外延片---产业基础领域先进技术产品转化应用目录 (推广篇)(2021年度)》
 评论 ⋅  2022-08-11 17:10
浙江大学50 mm厚6英寸碳化硅单晶生长获得成功
 评论 ⋅  2022-07-28 16:18
超芯星6英寸碳化硅衬底进入美国高端市场
 评论 ⋅  2022-07-26 18:00
中电科45所研制的双8英寸全线自动化湿法整线设备进入国内主流产线
 评论 ⋅  2022-07-25 17:51
大阪大学、丰田合成等合作利用Na助熔剂法培育出世界上最大的6英寸高品质GaN晶体
 评论 ⋅  2022-07-25 17:14
6英寸高品质GaN晶体最新进展
 评论 ⋅  2022-07-14 19:16
半导体晶圆供应商IQE开发出全球首批8英寸VCSEL外延片
 评论 ⋅  2022-05-18 09:59
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