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4H-SiC 中基面位错滑移带表征和外延传播
4HSiC晶体缺陷晶体生长
 评论 ⋅  2024-01-02 15:38
南开团队在缺陷调控构筑新光电材料方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-11-03 10:23
中国科大在低维光伏材料点缺陷性质研究中取得新进展
 评论 ⋅  2022-12-30 09:13
SiC工艺之质子注入缺陷抑制技术解决碳化硅层错难题
 评论 ⋅  2022-12-12 15:24
晶圆切割常见缺陷问题分析
 评论 ⋅  2022-11-17 14:42
半导体材料的点空位缺陷工程用于环境修复以及可持续能源生产
 评论 ⋅  2022-05-10 11:30
《自然》子刊：分子桥解决半导体缺陷，提高导电性及整体性能
 评论 ⋅  2021-03-01 15:24
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