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中国电科55所高性能高可靠碳化
硅
MOSFET 技术及应用通过技术鉴定
成果上新!8英寸导电型碳化
硅
研制获得成功
科友6/8英寸碳化
硅
规模化生产取得重大技术突破
详解碳化
硅
晶片的磨抛工艺方案
简述激光在碳化
硅
半导体晶圆制程中的应用
打破国外垄断 武汉先进院有机
硅
材料制备技术取得突破
简述碳化
硅
衬底制备的重点与难点
中国科大首次实现基于碳化
硅
中
硅
空位色心的高压原位磁探测
国际首次!科研团队在基于碳化
硅
硅
空位色心的高压原位磁探测研究方面取得突破
国内首家!厦门大学实现8英寸碳化
硅
外延生长
台湾中山大学突破6英寸碳化
硅
晶体生长!
简述SiC碳化
硅
单晶的生长原理
简述碳化
硅
功率器件封装的三个关键技术
俄亥俄州立大学的碳化
硅
MOSFET可靠性研究之短路能力
上海微系统所在碳化
硅
异质集成材料与光子器件领域取得进展
浅谈碳化
硅
寿命中的挑战
硅
基氮化镓Micro-LED,实现高速可见光通信信号探测
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的
硅
衬底GaN基纵向功率器件
东风汽车碳化
硅
功率模块将于2023年实现量产
SiC工艺之质子注入缺陷抑制技术解决碳化
硅
层错难题
复旦大学研究团队合作发明晶圆级
硅
基二维互补叠层晶体管
上海微系统所在
硅
基碳化
硅
异质集成XOI材料领域取得重要进展
简述碳化
硅
SIC器件在工业应用中的重要作用
长平时代发布用于车载电子的900V
硅
基氮化镓外延片
碳化
硅
单晶薄膜制备技术及集成光子应用技术进展
简述碳化
硅
功率器件封装关键技术
高压碳化
硅
器件封装国内外研究进展
碳化
硅
单晶衬底加工技术现状及发展趋势综述
南京大学余林蔚教授课题组实现面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超细晶
硅
纳米线可靠生长集成
WOLFSPEED:使用碳化
硅
进行双向车载充电机设计
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