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英飞凌推出全球最薄
硅
功率晶圆,突破技术极限并提高能效
九峰山实验室再次在
硅
光子集成领域取得突破性进展
我国首次突破沟槽型碳化
硅
MOSFET芯片制造技术
基本半导体铜烧结技术在碳化
硅
功率模块中的应用
吕坚院士团队 l 3D打印莫来石增强的碳化
硅
气凝胶复合材料
国内首款!2Tb/s三维集成
硅
光芯粒成功出样
厚度达100 mm! 碳化
硅
单晶生长取得新进展
香港科技大学开发高效结合III-V与
硅
的新集成技术 有助革新数据通信
碳化
硅
单晶衬底的常用检测技术
厦大、华为合作,实现具有超低边界热阻的
硅
/多晶金刚石键合
器件新突破!香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和碳化
硅
二者优点的实验晶体管!
中科院物理所陈小龙团队:晶圆级立方碳化
硅
单晶生长取得突破
中国科学院
物理研究所
陈小龙
异质籽晶
同质籽晶
生长
首个由石墨烯制成的功能半导体问世 电子迁移率是
硅
的10倍
石墨烯芯片制造领域,重要里程碑→
碳化硅
超高迁移率
半导体
外延
石墨烯
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN器件用金刚石-碳化
硅
复合衬底的进展
金刚石
SiC
GaN
衬底
上海
硅
酸盐所碳化
硅
陶瓷增材制造研究获进展
工艺打通!九峰山实验室全面启动碳化
硅
(SiC)工艺技术服务
天津大学在
硅
基频率源技术方面取得系列成果
研究称芯片中的
硅
或可被新材料取代
中科院科学家在8英寸碳化
硅
单晶研制中获进展
中科院半导体所在
硅
基外延量子点激光器研究取得进展
半导体所在
硅
基外延量子点激光器研究方面取得重要进展
中科院微电子所:在
硅
基氮化镓横向功率器件的动态可靠性研究方面取得进展
中国电科55所高性能高可靠碳化
硅
MOSFET 技术及应用通过技术鉴定
成果上新!8英寸导电型碳化
硅
研制获得成功
科友6/8英寸碳化
硅
规模化生产取得重大技术突破
详解碳化
硅
晶片的磨抛工艺方案
简述激光在碳化
硅
半导体晶圆制程中的应用
打破国外垄断 武汉先进院有机
硅
材料制备技术取得突破
简述碳化
硅
衬底制备的重点与难点
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