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日本开发在磁场下实现电阻开关效应的半导体器件
 评论 ⋅  2024-04-07 18:23
北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件，耐压能力大于6500V
北超低动态电阻氮化镓高压器件耐压6500V
 评论 ⋅  2024-01-11 11:17
翠展微：IGBT模块关断电阻对关断尖峰的非单调性影响
 评论 ⋅  2023-09-26 10:55
北京交大科研团队提出GaN器件动态导通电阻的精确测试与优化方法
 评论 ⋅  2022-11-17 16:42
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:10
自举电路工作原理和自举电阻和电容的选取
 评论 ⋅  2022-09-26 17:25
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-09-19 17:45
首次成功将超薄半导体和超导体结合，实现以零电阻导电
 评论 ⋅  2022-01-28 10:10
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