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中国科大微电子学院在GaN HEMT开关瞬态建模方向取得新进展
 评论 ⋅  2024-10-29 17:45
电子科技大学团队在SCIENCE CHINA Information Sciences上发表研究成果
 评论 ⋅  2024-10-23 14:04
电子科大国家工程技术研究中心在二维单相多铁方向取得重大突破
 评论 ⋅  2024-10-14 09:30
北京大学电子学院陈景标研究团队在原子钟领域取得重要突破
 评论 ⋅  2024-10-14 09:25
复旦微电子学院季力教授团队在金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的光催化水裂解电极方向取得成果
 评论 ⋅  2024-10-12 10:17
中国科大微电子学院在GaN功率电子器件浪涌特性研究方向取得新进展
 评论 ⋅  2024-10-10 20:42
中科院微电子所在GaN器件研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2024-10-10 11:14
北京大学深圳研究生院在高性能低维柔性电子集成方向取得重要进展
 评论 ⋅  2024-10-08 09:01
北大电子学院张志勇课题组提出集成电路用碳纳米管材料要求
 评论 ⋅  2024-08-08 14:14
我国攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-19 10:57
西安电子科技大学攻克 1200V 以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-11 17:31
中国科学院微电子所在厚膜氮化镓与多晶金刚石异质集成方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-03-21 15:06
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件
 评论 ⋅  2024-03-13 20:11
复旦大学微电子学院三篇高水平成果亮相ISSCC 2024
 评论 ⋅  2024-03-04 15:34
复旦大学微电子学院器件工艺团队研发基于全无机钙钛矿的多功能集成光子器件
 评论 ⋅  2024-02-21 09:45
厦大物理宽禁带半导体团队在量子点电子态和自旋态操控领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-01-31 15:42
首个由石墨烯制成的功能半导体问世 电子迁移率是硅的10倍
 评论 ⋅  2024-01-05 15:47
深港微电子学院安丰伟课题组在图像芯片领域取得新进展
 评论 ⋅  2023-10-26 14:30
西安电子科技大学郝跃院士团队：氧化镓功率器件研究成果
 评论 ⋅  2023-08-24 14:51
清华大学等研究团队在三维曲面电子制造方法上取得突破
 评论 ⋅  2023-08-22 16:49
电子科技大学罗小蓉课题组在超宽禁带半导体氧化镓功率器件领域取得研究进展
 评论 ⋅  2023-07-25 12:45
复旦大学微电子学院杨迎国等在钙钛矿半导体光电器件研究方面取得进展
 评论 ⋅  2023-07-10 08:30
中国科大在功率电子器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2023-06-08 10:48
中科院微电子所：在硅基氮化镓横向功率器件的动态可靠性研究方面取得进展
 评论 ⋅  2023-06-06 11:30
厦门大学张洪良团队在宽禁带氧化镓半导体掺杂电子结构研究取得进展
 评论 ⋅  2023-05-16 15:38
MXene范德华接触在氮化镓高电子迁移率晶体管中的应用
 评论 ⋅  2023-04-27 16:12
南科大电子系化梦媛团队揭示与氮化镓晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用
 评论 ⋅  2023-02-22 15:14
简述氮化镓晶格排列氧化氮化镓纳米层的形成及其在电子器件中的应用
 评论 ⋅  2023-01-10 17:06
东南大学两项研究成果发表于电子器件领域顶会IEDM
 评论 ⋅  2023-01-04 09:40
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断专利技术之台达电子篇
 评论 ⋅  2022-12-27 16:03
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