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镓仁半导体：铸造法成功生长超厚6英寸氧化镓单晶！
 评论 ⋅  2024-10-29 19:59
科学家提出倾斜台阶面外延生长菱方氮化硼单晶方法
 评论 ⋅  2024-05-06 11:06
厚度达100 mm! 碳化硅单晶生长取得新进展
 评论 ⋅  2024-04-29 07:34
厦门大学康俊勇教授团队：人工智能无损表征技术，助力SiC晶体生长
 评论 ⋅  2024-03-29 10:53
昆明理工大学在溶液法生长高纯3C-SiC晶体研究方面取得进展
 评论 ⋅  2024-01-26 17:37
中科院物理所陈小龙团队：晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破
中国科学院物理研究所陈小龙异质籽晶同质籽晶生长
 评论 ⋅  2024-01-15 13:26
4H-SiC 中基面位错滑移带表征和外延传播
4HSiC晶体缺陷晶体生长
 评论 ⋅  2024-01-02 15:38
太原理工大学和武汉大学在金刚石/氮化镓薄膜生长工艺与热物性表征领域研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 10:20
简述GaN 外延生长方法及生长模式
 评论 ⋅  2023-06-08 16:20
基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2023-06-08 09:44
中国半导体十大研究进展候选推荐——溶液生长BiI/BiI3范德华异质结构实现高灵敏X-射线探测
 评论 ⋅  2023-04-19 17:59
国内首家！厦门大学实现8英寸碳化硅外延生长
 评论 ⋅  2023-03-17 12:43
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！
 评论 ⋅  2023-03-08 10:00
简述SiC碳化硅单晶的生长原理
 评论 ⋅  2023-03-03 10:48
简述Ir衬底上金刚石半导体异质外延生长技术与机理研究进展
 评论 ⋅  2023-02-02 19:09
4英寸氧化镓单晶生长与性能分析
 评论 ⋅  2022-11-23 16:54
南京大学余林蔚教授课题组实现面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超细晶硅纳米线可靠生长集成
 评论 ⋅  2022-09-13 13:31
哈尔滨工业大学科研团队通过选择性生长方法制备了准垂直金刚石肖特基二极管
 评论 ⋅  2022-09-02 09:34
浙江大学50 mm厚6英寸碳化硅单晶生长获得成功
 评论 ⋅  2022-07-28 16:18
在纳米图案化蓝宝石衬底（NPSS）上实现AlGaN基高效多量子阱的生长
 评论 ⋅  2022-07-12 14:59
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破
 评论 ⋅  2022-05-10 10:28
南京大学等突破双层二维半导体外延生长核心技术
 评论 ⋅  2022-05-07 09:22
中科院半导体所在氮化物材料生长界面研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2022-04-21 07:53
奧趋光电：氮化铝单晶生长技术进展及其未来挑战
 评论 ⋅  2021-03-10 14:50
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