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英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革
 评论 ⋅  2024-09-12 17:30
中国科学院半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2024-07-22 11:27
我国攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-19 10:57
西安电子科技大学攻克 1200V 以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-11 17:31
名古屋大学天野浩团队Nature发文：氮化镓 的2D-Mg掺杂现象
 评论 ⋅  2024-06-11 09:54
科学家提出倾斜台阶面外延生长菱方氮化硼单晶方法
 评论 ⋅  2024-05-06 11:06
中国科大孙海定教授和武大刘胜院士Nature Electronics封面论文: 发明新型氮化镓光电二极管
 评论 ⋅  2024-04-30 14:07
北京大学申请p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法专利，实现电流密度的增加
 评论 ⋅  2024-03-26 18:37
中国科学院微电子所在厚膜氮化镓与多晶金刚石异质集成方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-03-21 15:06
中科大孙海定教授Adv. Mater.: 构建双极型氮化镓PN结实现双通道加密光通信应用
 评论 ⋅  2024-03-11 17:46
器件新突破！香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和碳化硅二者优点的实验晶体管！
 评论 ⋅  2024-01-19 13:12
北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件，耐压能力大于6500V
北超低动态电阻氮化镓高压器件耐压6500V
 评论 ⋅  2024-01-11 11:17
中国科学院长春光机所黎大兵研究团队喜获吉林省技术发明一等奖
氮化铝深紫外光电器件吉林省技术发明一等奖黎大兵孙晓娟蒋科吴亮徐春阳贲建伟
 评论 ⋅  2023-12-26 09:33
金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学东北大学金刚石基板氮化镓晶体管
 评论 ⋅  2023-12-21 16:57
太原理工大学和武汉大学在金刚石/氮化镓薄膜生长工艺与热物性表征领域研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 10:20
厦大曹阳教授团队在单原子层六方氮化硼用于提升析氧反应性能研究方面取得进展
 评论 ⋅  2023-11-10 13:48
苏州纳米所在新型氮化镓基光电器件领域取得进展
 评论 ⋅  2023-10-18 10:44
北大许福军、沈波团队在氮化物半导体大失配外延研究上取得突破性进展
 评论 ⋅  2023-06-27 09:39
北京大学许福军、沈波团队实现了接近体块级质量的III族氮化物异质外延膜
北京大学III族氮化物外延层薄膜宽禁带半导体
 评论 ⋅  2023-06-25 08:05
中科院微电子所：在硅基氮化镓横向功率器件的动态可靠性研究方面取得进展
 评论 ⋅  2023-06-06 11:30
南科大化梦媛团队揭示与氮化镓晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用
 评论 ⋅  2023-05-12 16:49
MXene范德华接触在氮化镓高电子迁移率晶体管中的应用
 评论 ⋅  2023-04-27 16:12
半导体产业快速发展带动下 PBN（热解氮化硼）市场需求空间广阔
 评论 ⋅  2023-02-28 14:01
南科大电子系化梦媛团队揭示与氮化镓晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用
 评论 ⋅  2023-02-22 15:14
简述氮化镓的合成制备及展望
 评论 ⋅  2023-01-12 16:05
简述氮化镓晶格排列氧化氮化镓纳米层的形成及其在电子器件中的应用
 评论 ⋅  2023-01-10 17:06
清华大学研究团队合作利用激光加工氮化硼实现大规模高性能量子光源
 评论 ⋅  2022-12-28 14:53
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断专利技术之台达电子篇
 评论 ⋅  2022-12-27 16:03
硅基氮化镓Micro-LED，实现高速可见光通信信号探测
 评论 ⋅  2022-12-19 18:47
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断技术之松下篇
 评论 ⋅  2022-12-07 14:48
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