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成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件
 评论 ⋅  2024-03-13 20:11
简述通过栅极驱动器提高开关电源功率密度
 评论 ⋅  2023-01-05 09:29
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断专利技术之台达电子篇
 评论 ⋅  2022-12-27 16:03
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断技术之松下篇
 评论 ⋅  2022-12-07 14:48
深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT
 评论 ⋅  2022-09-22 08:56
技术分享 | GaN器件驱动及简化栅极驱动设计的方法
 评论 ⋅  2022-06-22 18:08
栅极驱动器以及 SiC MOSFET 栅极驱动分析
 评论 ⋅  2022-06-16 12:05
芯片上的突破！清华制成世界上栅极长度最小晶体管
 评论 ⋅  2022-03-21 16:16
清华大学团队首次实现了具有亚1nm栅极长度的晶体管
 评论 ⋅  2022-03-11 10:35
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