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应用
许福军、沈波团队成功实现垂直注入AlGaN基深紫外发光器件的
晶圆
级制备
1万伏!我国实现6英寸AlN单晶复合衬底和
晶圆
制造全流程突破
中机新材——团聚金刚石技术,赋能
晶圆
减薄新高度
英飞凌推出全球最薄硅功率
晶圆
,突破技术极限并提高能效
日本FOX公司计划2028年量产6英寸氧化镓
晶圆
北京大学王新强教授团队:推动高功率UVC-LED
晶圆
进入低成本4英寸时代!
上海微系统所成功开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质
晶圆
江苏通用半导体成功实现剥离出130um厚度超薄SiC
晶圆
片
中科院物理所陈小龙团队:
晶圆
级立方碳化硅单晶生长取得突破
中国科学院
物理研究所
陈小龙
异质籽晶
同质籽晶
生长
上海微系统所在300 mm SOI
晶圆
制造技术方面实现突破
中国科学院上海微系统所在300 mm SOI
晶圆
制造技术方面实现突破
重大进展!中国团队成功实现12英寸二维半导体
晶圆
批量制备技术
简述激光在碳化硅半导体
晶圆
制程中的应用
复旦大学研究团队合作发明
晶圆
级硅基二维互补叠层晶体管
国产4英寸氧化镓
晶圆
衬底技术获突破!
晶圆
切割常见缺陷问题分析
基于原子层沉积技术的具有常温相变能力的钨掺杂二氧化钒兼容于8寸
晶圆
及PI薄膜
山东大学与南砂
晶圆
团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学
晶体材料
4HSiC
衬底
8英寸
简述
晶圆
级多层堆叠封装技术
简述
晶圆
级多层堆叠技术
自研基于 6 寸碳化硅
晶圆
的 6.5kV MOSFET功率模块测试分析
多层MoS2外延
晶圆
推动二维半导体器件应用的研究进展
中科院上海微系统所在Nature Electronics报道
晶圆
级范德华接触阵列研究重要进展
半导体
晶圆
供应商IQE开发出全球首批8英寸VCSEL外延片
第四代半导体氧化镓,浙大杭州科创中心新技术路线制备 2 英寸
晶圆
国际首创!浙大杭州科创中心首次采用新技术路线成功制备2英寸氧化镓
晶圆
6英寸
晶圆
高功率半导体激光芯片量产线
碳化硅
晶圆
划片技术
我国半导体激光隐形
晶圆
切割技术重大突破:100nm 提升至 50nm
半导体激光
隐形晶圆
切割技术
重大突破
100nm
50nm
突破“卡脖子”环节!国产
晶圆
打码机设备WM-SC800R通过验收
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