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北京大学申请p沟道氮化镓异质结
晶体管
及其制备方法专利,实现电流密度的增加
西电郝跃院士团队在超陡垂直
晶体管
器件研究方面取得重要进展
器件新突破!香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和碳化硅二者优点的实验
晶体管
!
金刚石基板上的GaN
晶体管
,散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学
东北大学
金刚石
基板
氮化镓
晶体管
MXene范德华接触在氮化镓高电子迁移率
晶体管
中的应用
中国科大龙世兵课题组研制出氧化镓垂直槽栅场效应
晶体管
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应
晶体管
器件
复旦大学研究团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层
晶体管
GAA
晶体管
继任者?复旦大学团队公布CFET新进展!
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应
晶体管
器件
三星宣布3纳米芯片正式开始量产 采用新 GAA
晶体管
架构 提高30%性能
二维半导体环栅
晶体管
和垂直互补
晶体管
的阵列验证
天津大学李立强教授课题组:有机
晶体管
新进展—实现五年长寿命
南京大学 | 基于MoS2-BN-Graphene范德华异质结的多功能半浮栅
晶体管
芯片上的突破!清华制成世界上栅极长度最小
晶体管
清华大学团队首次实现了具有亚1nm栅极长度的
晶体管
氮化镓
晶体管
和碳化硅MOSFET
尺寸小于1纳米,中科院物理所单分子
晶体管
器件新突破
CFET结构
晶体管
有助于2nm以下制程的新一代半导体技术
比官方宣传还猛!台积电5nm
晶体管
密度比7nm提高88%
台积电
5nm
晶体管密度
7nm
88%
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