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北美科学家研发出一种新型超薄晶体薄膜半导体
 评论 ⋅  2024-07-22 09:35
厦门大学康俊勇教授团队：人工智能无损表征技术，助力SiC晶体生长
 评论 ⋅  2024-03-29 10:53
北京大学申请p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法专利，实现电流密度的增加
 评论 ⋅  2024-03-26 18:37
西电郝跃院士团队在超陡垂直晶体管器件研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2024-02-20 14:12
昆明理工大学在溶液法生长高纯3C-SiC晶体研究方面取得进展
 评论 ⋅  2024-01-26 17:37
器件新突破！香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和碳化硅二者优点的实验晶体管！
 评论 ⋅  2024-01-19 13:12
4H-SiC 中基面位错滑移带表征和外延传播
4HSiC晶体缺陷晶体生长
 评论 ⋅  2024-01-02 15:38
金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学东北大学金刚石基板氮化镓晶体管
 评论 ⋅  2023-12-21 16:57
MXene范德华接触在氮化镓高电子迁移率晶体管中的应用
 评论 ⋅  2023-04-27 16:12
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！
 评论 ⋅  2023-03-08 10:00
中国科大龙世兵课题组研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管
 评论 ⋅  2023-02-27 11:47
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-12 13:23
复旦大学研究团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管
 评论 ⋅  2022-12-12 11:08
GAA 晶体管继任者？复旦大学团队公布CFET新进展！
 评论 ⋅  2022-12-10 19:02
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-07 14:53
山东大学成功研制高质量4英寸氧化镓晶体
 评论 ⋅  2022-09-28 15:53
山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学晶体材料4HSiC衬底8英寸
 评论 ⋅  2022-09-21 08:45
新型二维原子晶体材料Si₉C₁₅的构筑
 评论 ⋅  2022-08-26 11:56
大阪大学、丰田合成等合作利用Na助熔剂法培育出世界上最大的6英寸高品质GaN晶体
 评论 ⋅  2022-07-25 17:14
6英寸高品质GaN晶体最新进展
 评论 ⋅  2022-07-14 19:16
三星宣布3纳米芯片正式开始量产 采用新 GAA晶体管架构 提高30%性能
 评论 ⋅  2022-06-30 16:52
二维半导体环栅晶体管和垂直互补晶体管的阵列验证
 评论 ⋅  2022-05-13 09:15
中科院成功制备8英寸碳化硅晶体
 评论 ⋅  2022-05-07 10:41
天津大学李立强教授课题组：有机晶体管新进展—实现五年长寿命
 评论 ⋅  2022-03-30 15:01
南京大学 | 基于MoS2-BN-Graphene范德华异质结的多功能半浮栅晶体管
 评论 ⋅  2022-03-23 15:25
芯片上的突破！清华制成世界上栅极长度最小晶体管
 评论 ⋅  2022-03-21 16:16
清华大学团队首次实现了具有亚1nm栅极长度的晶体管
 评论 ⋅  2022-03-11 10:35
氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET
 评论 ⋅  2021-09-15 15:58
尺寸小于1纳米，中科院物理所单分子晶体管器件新突破
 评论 ⋅  2021-04-19 20:25
CFET结构晶体管有助于2nm以下制程的新一代半导体技术
 评论 ⋅  2021-03-11 11:11
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