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日本Rapidus拟7月完成2纳米制程工艺半导体试产
 评论 ⋅  2025-04-02 17:42
宁波材料所在超宽禁带半导体基日盲紫外探测领域取得系列进展
 评论 ⋅  2025-03-25 19:16
中国科学院联合纳米器件研究部在日盲紫外探测领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-03-19 14:09
兰州大学研究团队在日盲光电探测器件方面突破“RS困境” 实现高性能光电探测
 评论 ⋅  2025-03-12 14:43
南京再迎半导体领域重磅盛会！6月20日启幕，共话半导体产业机遇与挑战
 评论 ⋅  2025-03-05 08:09
研制成功！我国团队在氧化镓日盲光电探测器领域取得重要进展
 评论 ⋅  2025-02-28 09:30
半导体所在基于氧化镓的日盲紫外偏振光探测器方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-12-30 15:35
日本FOX公司计划2028年量产6英寸氧化镓晶圆
 评论 ⋅  2024-10-21 17:07
厦大程其进／张洪良团队: 高精度日盲紫外光电探测器重要新进展
 评论 ⋅  2024-10-17 15:07
日本开发在磁场下实现电阻开关效应的半导体器件
 评论 ⋅  2024-04-07 18:23
日本初创公司开发功率半导体生产新材料 成本降低75%
 评论 ⋅  2024-03-06 13:19
唐为华教授团队通过热重排工程和能带调制实现可调谐的 Ga₂O₃ 日盲光敏性能
 评论 ⋅  2024-01-19 08:38
日本团队：金刚石MOSFET研制取得最新进展
钻石MOSFET
 评论 ⋅  2023-12-29 16:52
金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学东北大学金刚石基板氮化镓晶体管
 评论 ⋅  2023-12-21 16:57
日本开发新技术，可实现GaN垂直导电
 评论 ⋅  2023-11-16 16:59
宁波材料所研发氧化镓基日盲紫外光电探测器的低温制备技术
 评论 ⋅  2023-11-16 10:38
厦门大学张洪良团队在氧化镓半导体带隙工程和日盲紫外光电探测器研究取得进展
 评论 ⋅  2023-07-03 18:53
南京邮电大学氧化镓创新中心(IC-GAO)氧化镓日盲紫外阵列成像器件研究取得新突破
 评论 ⋅  2023-05-11 09:47
厦大研究团队在高灵敏、自供电氧化镓日盲紫外光电探测器研究取得进展
 评论 ⋅  2023-03-27 17:03
日本东京大学开发出新一代半导体加工技术 封装基板布线用孔降至6微米以下
 评论 ⋅  2022-11-16 09:26
外媒：日企将大规模量产氧化镓器件
 评论 ⋅  2022-08-25 14:59
厦门大学课题组在超高响应度日盲光电探测纸研究重要进展
 评论 ⋅  2022-06-16 10:51
日本团队合作开发出高品质第三代100mm氧化镓外延片
 评论 ⋅  2022-03-28 17:18
日本京都大学成功演示SiC在350°C下也能工作
 评论 ⋅  2022-03-28 15:32
中科大在日盲紫外探测领域取得新进展
中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组氧化镓日盲探测器研究
 评论 ⋅  2021-10-26 14:18
日企致力于开发功率器件应用材料 以减工时
 评论 ⋅  2021-09-28 14:20
日产与早稻田大学测试还原工艺 可从旧电机中还原出98%的稀土元素
 评论 ⋅  2021-09-06 11:56
无惧高温！日本研究开发基于GaN的MEMS谐振器
 评论 ⋅  2021-01-25 12:41
时隔7年，昔日光刻机巨头卷土重来，挑战荷兰ASML霸主地位
 评论 ⋅  2021-01-13 09:50
大口径无曲翘！日本开发出有助于节能的氮化镓单晶基板量产法
大口径无曲翘日本氮化镓单晶基板量产法
 评论 ⋅  2020-06-16 14:09
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