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FOX公司计划2028年量产6英寸氧化镓晶圆
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开发在磁场下实现电阻开关效应的半导体器件
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初创公司开发功率半导体生产新材料 成本降低75%
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团队:金刚石MOSFET研制取得最新进展
钻石
MOSFET
金刚石基板上的GaN晶体管,散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学
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开发新技术,可实现GaN垂直导电
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东京大学开发出新一代半导体加工技术 封装基板布线用孔降至6微米以下
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团队合作开发出高品质第三代100mm氧化镓外延片
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京都大学成功演示SiC在350°C下也能工作
无惧高温!
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研究开发基于GaN的MEMS谐振器
大口径无曲翘!
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开发出有助于节能的氮化镓单晶基板量产法
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