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昆明理工大学在溶液法生长高纯3C-SiC晶体研究方面取得进展
 评论 ⋅  2024-01-26 17:37
碳化硅单晶衬底的常用检测技术
 评论 ⋅  2024-01-25 21:07
联合攻关成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功
 评论 ⋅  2024-01-24 17:49
厦大、华为合作，实现具有超低边界热阻的硅/多晶金刚石键合
 评论 ⋅  2024-01-23 17:12
量子半导体器件实现拓扑趋肤效应
 评论 ⋅  2024-01-23 10:53
器件新突破！香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和碳化硅二者优点的实验晶体管！
 评论 ⋅  2024-01-19 13:12
唐为华教授团队通过热重排工程和能带调制实现可调谐的 Ga₂O₃ 日盲光敏性能
 评论 ⋅  2024-01-19 08:38
清溢光电：已实现180nm工艺节点半导体芯片掩膜版的量产
 评论 ⋅  2024-01-17 11:06
中国科学院半导体研究所在脉冲型人工视觉芯片研制取得新进展
 评论 ⋅  2024-01-17 09:36
中科院物理所陈小龙团队：晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破
中国科学院物理研究所陈小龙异质籽晶同质籽晶生长
 评论 ⋅  2024-01-15 13:26
北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件，耐压能力大于6500V
北超低动态电阻氮化镓高压器件耐压6500V
 评论 ⋅  2024-01-11 11:17
中国科学家提出基于信号关联的新量子传感范式
 评论 ⋅  2024-01-08 17:15
首个由石墨烯制成的功能半导体问世 电子迁移率是硅的10倍
 评论 ⋅  2024-01-05 15:47
石墨烯芯片制造领域，重要里程碑→
碳化硅超高迁移率半导体外延石墨烯
 评论 ⋅  2024-01-05 13:55
新进展！西安交通大学实现2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底量产
金刚石半导体MPCVD异质外延2英寸量产
 评论 ⋅  2024-01-05 11:40
上海光机所在高重频高功率超快激光器研究取得进展
 评论 ⋅  2024-01-05 09:50
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石SiCGaN衬底
 评论 ⋅  2024-01-04 09:28
厦门大学林楷强教授团队在二维半导体材料的激子研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-01-03 15:32
4H-SiC 中基面位错滑移带表征和外延传播
4HSiC晶体缺陷晶体生长
 评论 ⋅  2024-01-02 15:38
日本团队：金刚石MOSFET研制取得最新进展
钻石MOSFET
 评论 ⋅  2023-12-29 16:52
北京大学申请半导体器件结构专利
 评论 ⋅  2023-12-27 16:53
中国科学院长春光机所黎大兵研究团队喜获吉林省技术发明一等奖
氮化铝深紫外光电器件吉林省技术发明一等奖黎大兵孙晓娟蒋科吴亮徐春阳贲建伟
 评论 ⋅  2023-12-26 09:33
武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 18:02
金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学东北大学金刚石基板氮化镓晶体管
 评论 ⋅  2023-12-21 16:57
太原理工大学和武汉大学在金刚石/氮化镓薄膜生长工艺与热物性表征领域研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 10:20
中科院半导体研究所公开一项集成光子芯片专利 可提升光模块性能
 评论 ⋅  2023-12-15 14:28
全球首颗！我国芯片领域取得重大突破！
芯片，存算一体，忆阻器，人工智能，自动驾驶，光刻胶
 评论 ⋅  2023-12-15 11:08
九峰山实验室着力破解太赫兹器件频率瓶颈
 评论 ⋅  2023-12-05 15:05
中科大龙世兵课题组 | 基于交变栅压调制的Ga2O3光电探测器
 评论 ⋅  2023-12-04 21:22
日本开发新技术，可实现GaN垂直导电
 评论 ⋅  2023-11-16 16:59
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