首页 > 新闻资讯 > 搜索
中科院微电子所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展
 评论 ⋅  2022-03-14 19:16
碳化硅功率器件技术综述与展望
 评论 ⋅  2022-03-11 16:23
清华大学团队首次实现了具有亚1nm栅极长度的晶体管
 评论 ⋅  2022-03-11 10:35
澜起科技：整个DDR5相关芯片价值量高于DDR4，DDR5第二子代芯片正在研发
 评论 ⋅  2022-03-08 10:41
电装SiC功率半导体的诞生之路和未来的可能性
 评论 ⋅  2022-03-04 10:59
世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上氧化镓成膜成功
HVPE法6英寸晶片氧化镓成膜
 评论 ⋅  2022-03-02 09:24
清华大学交叉信息研究院段路明课题组实现量子存储器增强的非局域图态制备
 评论 ⋅  2022-03-01 15:45
郑州大学物理学院在自供能多色显示研究方面取得进展
 评论 ⋅  2022-02-28 13:27
中电科二所研制出山西省首片碳化硅芯片
 评论 ⋅  2022-02-28 11:01
西电周弘教授：超宽禁带半导体材料氧化镓器件最新研究进展
 评论 ⋅  2022-02-22 13:35
北大物理学院高鹏课题组揭示氮化物异质结界面声子输运机制
 评论 ⋅  2022-02-22 11:41
基于SiC逆变器的电动汽车永磁同步电机控制系统研究
 评论 ⋅  2022-02-22 11:15
SK海力士开发出下一代智能内存芯片技术PIM
 评论 ⋅  2022-02-16 10:37
中国科大潘建伟院士团队等与海外团队合作《Science》发文报道首次观测到费米超流中的熵波临界发散
 评论 ⋅  2022-02-11 10:55
中科院苏州纳米所团队在石墨烯调控的氮化镓远程外延机理研究获新进展
 评论 ⋅  2022-02-10 09:13
碳化硅激光剥离设备国产化 中电科二所取得突破性进展
 评论 ⋅  2022-02-09 10:18
首次成功将超薄半导体和超导体结合，实现以零电阻导电
 评论 ⋅  2022-01-28 10:10
中国科大郭光灿院士团队在硅基半导体自旋量子比特操控研究中取得进展
 评论 ⋅  2022-01-20 10:48
国际首次 | β相氧化镓功率品质因子国际首次超越SiC理论极限
 评论 ⋅  2022-01-19 11:23
SiC MOSFET替代Si MOSFET，自举电路是否适用？
 评论 ⋅  2022-01-14 16:07
复旦大学袁泽兴：基于玻璃封装高稳定钙钛矿纳米晶色转换材料的高速水下无线光通信
 评论 ⋅  2021-12-27 14:37
华南理工大学李国强教授：可见光通信系统中核心元器件研究
 评论 ⋅  2021-12-27 14:10
丹麦技术大学副教授欧海燕：碳化硅，一种新型的集成光子和量子集成光子平台
碳化硅新型集成光子量子集成光子平台欧海燕
 评论 ⋅  2021-12-27 13:30
光通信技术未来更加凸显其重要性，听专家学者们怎么说？！
 评论 ⋅  2021-12-27 12:57
中科院半导体所荧光型LED的OOK调制速率突破1Gbps
 评论 ⋅  2021-12-24 20:48
重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片
重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片
 评论 ⋅  2021-12-24 15:16
浙大发布两款超导量子芯片 关键指标实现新突破
 评论 ⋅  2021-12-23 19:55
西电张进成教授团队最新成果：基于p-SnO帽层栅的高阈值增强型AlGaN/GaN HEMTs
 评论 ⋅  2021-12-22 16:28
一文看懂半导体刻蚀设备
 评论 ⋅  2021-11-01 11:20
中科大在日盲紫外探测领域取得新进展
中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组氧化镓日盲探测器研究
 评论 ⋅  2021-10-26 14:18
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部