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上海科技大学陈佰乐团队实现了室温工作超宽光谱光电探测器
GaN单晶衬底减薄新
技术
量子点合成及其光电功能薄膜研究进展
浅析基于量子成像的下一代甚高灵敏度图像传感器
技术
生效条件正在变化,摩尔定律到尽头了吗?
寻找合适的半导体
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,解决数据中心电源挑战
紫外增强图像传感器的研究进展
有机光伏器件中载流子输运的时空重复性
南京大学谭海仁课题组实现可量产化的全钙钛矿叠层光伏组件
二维半导体环栅晶体管和垂直互补晶体管的阵列验证
北京理工大学在拓扑微纳光子器件领域取得重要进展
中科院苏州纳米所赵志刚团队Analytical Chemistry:量子点尺寸调控实现半导体SERS基底性能提升和无机小分子检测
第四代SiC MOSFET 突破电力电子领域边界
中科院金属所发明一种光控二极管
简述汽车芯片
25 kW SiC直流快充设计指南(第四部分):DC-DC级的设计考虑因素和仿真
SiC MOSFET单管的并联均流特性及1 200V 产品参数分散性对并联均流的影响
解析射频微波电感器件之选用玻璃陶瓷基板
半导体材料的点空位缺陷工程用于环境修复以及可持续能源生产
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心
技术
取得新突破
中科院物理所在光致VO2非易失相变及智能光电传感应用方面取得新进展
又2项,华为再公开芯片相关专利
第四代半导体氧化镓,浙大杭州科创中心新
技术
路线制备 2 英寸晶圆
设计基于SiC的电动汽车直流快速充电机
中科院成功制备8英寸碳化硅晶体
南京大学等突破双层二维半导体外延生长核心
技术
固体所在二维材料光电探测器研究方面取得新进展
国际首创!浙大杭州科创中心首次采用新
技术
路线成功制备2英寸氧化镓晶圆
SiC功率模块封装
技术
及展望
上海光机所疫情期间封闭攻关 突破多项“卡脖子”
技术
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