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简述碳化硅功率器件封装关键技术
 评论 ⋅  2022-10-14 17:34
高压碳化硅器件封装国内外研究进展
 评论 ⋅  2022-10-13 14:32
西安交通大学研究团队超宽禁带半导体材料研究领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-10-13 11:41
中山大学研究团队首次实现了基于ε-Ga2O3薄膜的SAW射频谐振器
 评论 ⋅  2022-10-12 18:05
SiC MOSFET特性分析及应用
 评论 ⋅  2022-10-12 17:55
电力电子中 IGBT 散热器选型应用
 评论 ⋅  2022-10-12 16:39
瀚天天成电子科技(厦门)有限公司招聘
 评论 ⋅  2022-10-12 15:51
国际首台基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模块的35kV/5MW电力电子变压器顺利通过全部型式试验
 评论 ⋅  2022-10-11 17:39
基于原子层沉积技术的具有常温相变能力的钨掺杂二氧化钒兼容于8寸晶圆及PI薄膜
 评论 ⋅  2022-10-10 17:57
简述使用不同类型GaN FET 设计提高系统设计功率密度
 评论 ⋅  2022-10-10 17:51
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势综述
 评论 ⋅  2022-10-10 15:59
金刚石在器件散热应用中的研究动态几则
 评论 ⋅  2022-10-10 15:52
中国科大在高性能金刚石量子器件制备上取得重要进展
 评论 ⋅  2022-10-09 11:50
保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏
 评论 ⋅  2022-10-09 11:44
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:10
山东大学成功研制高质量4英寸氧化镓晶体
 评论 ⋅  2022-09-28 15:53
自举电路工作原理和自举电阻和电容的选取
 评论 ⋅  2022-09-26 17:25
合肥工业大学在可重定义微波无源器件研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2022-09-22 17:12
韩科研团队研发新一代半导体气敏传感器
 评论 ⋅  2022-09-22 10:40
深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT
 评论 ⋅  2022-09-22 08:56
山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学晶体材料4HSiC衬底8英寸
 评论 ⋅  2022-09-21 08:45
解析电子封装陶瓷基板
 评论 ⋅  2022-09-20 17:10
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-09-19 17:45
一文了解金刚石半导体
 评论 ⋅  2022-09-19 10:45
南京大学科研团队在下一代光电芯片制造领域获重大突破！
 评论 ⋅  2022-09-16 19:13
技术分享：基于氮化镓单晶衬底的增强型氮化镓HEMTs
 评论 ⋅  2022-09-15 17:03
简述晶圆级多层堆叠封装技术
 评论 ⋅  2022-09-14 15:46
研究人员利用氮化镓开发新型电子设备
 评论 ⋅  2022-09-14 15:10
苏州纳米所器件部樊士钊等JAP：利用电子通道衬度成像方法分析氮化镓异质结中的穿透位错和失配位错
 评论 ⋅  2022-09-14 13:59
南京大学余林蔚教授课题组实现面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超细晶硅纳米线可靠生长集成
 评论 ⋅  2022-09-13 13:31
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