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简述用于工业自动化的无刷直流电机
SiC MOSFET功率模块的各种参数电动汽车
简述光刻机制造设备
电动车直流充电基础设施如何实现快速充电?
宽禁带氧化镓半导体在压电与射频器件中的应用
GaN衬底研发获新突破!
简述微波射频电路杂波干扰问题
技术
分析及改进研究
MOCVD 加热片模拟仿真研究分析
华中大团队成功研发国内首款全自主计算光刻EDA软件
华中科技大学研究团队发表电动汽车电机驱动系统零转矩充电复用
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的研究成果
中科院物理所在集成有亚波长光栅的台面型InGaAs基短波红外偏振探测器取得进展
河工大张紫辉团队在GaN基Micro-LED方面获得新进展
浅述GaN功率器件的发展
简述SiC MOSFET短路保护时间
全球首次!全球首次实现室温下连续波深紫外激光输出
基于垂直架构的新型二维半导体/铁电多值存储器取得进展
简述光电储能系统如何帮助电动车实现快充
简述国内半导体激光器产业该如何发展
4英寸氧化镓单晶生长与性能分析
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用
简述功率MOSFET电流额定值和热设计
中国科大在纯红光钙钛矿电致发光二极管取得新进展
Nature Electronics 电力电子首篇综述 - 功率器件的多维结构
厦门大学&西北工业大学Adv. Sci.: 19.6%效率!高效稳定1D/3D钙钛矿光伏组件
北京交大科研团队提出GaN器件动态导通电阻的精确测试与优化方法
晶圆切割常见缺陷问题分析
长平时代发布用于车载电子的900V硅基氮化镓外延片
简述提高GaN效率的新掺杂
技术
日本东京大学开发出新一代半导体加工
技术
封装基板布线用孔降至6微米以下
MOSFET的失效机理:dV/dt失效和雪崩失效
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