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英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革
 评论 ⋅  2024-09-12 17:30
我国科学家实现材料突破，可用于开发低功耗芯片
 评论 ⋅  2024-08-09 10:22
上海微系统所成功开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
 评论 ⋅  2024-08-08 11:10
积塔半导体BCD复合高压隔离器平台开发团队：积沙成塔，用“芯”取得新突破
 评论 ⋅  2024-06-14 10:46
日本开发在磁场下实现电阻开关效应的半导体器件
 评论 ⋅  2024-04-07 18:23
日本初创公司开发功率半导体生产新材料 成本降低75%
 评论 ⋅  2024-03-06 13:19
香港科技大学开发高效结合III-V与硅的新集成技术 有助革新数据通信
 评论 ⋅  2024-02-21 09:35
日本开发新技术，可实现GaN垂直导电
 评论 ⋅  2023-11-16 16:59
镓和半导体展示多规格氧化镓单晶衬底并首次公开发布4英寸（100）面单晶衬底参数
 评论 ⋅  2023-10-24 16:35
国际团队开发出一种“3D光量子存储器”原创技术
 评论 ⋅  2023-06-08 14:57
突破！中国科大研究团队创造性开发出半导体材料激光直写方法
 评论 ⋅  2023-03-08 16:28
日本东京大学开发出新一代半导体加工技术 封装基板布线用孔降至6微米以下
 评论 ⋅  2022-11-16 09:26
美研究人员开发出十分钟快充电动汽车新技术
 评论 ⋅  2022-10-18 17:29
研究人员利用氮化镓开发新型电子设备
 评论 ⋅  2022-09-14 15:10
中国团队开发出一体化Micro LED器件 目标是显示和光学近场通信功能
 评论 ⋅  2022-07-07 17:28
加州大学伯克利分校研究人员开发出一种新型半导体激光器
 评论 ⋅  2022-07-05 13:59
我国研究者开发AlNO新型缓冲层，提升绿光LED效率方面获重大进展
 评论 ⋅  2022-06-29 08:35
半导体晶圆供应商IQE开发出全球首批8英寸VCSEL外延片
 评论 ⋅  2022-05-18 09:59
日本团队合作开发出高品质第三代100mm氧化镓外延片
 评论 ⋅  2022-03-28 17:18
SK海力士开发出下一代智能内存芯片技术PIM
 评论 ⋅  2022-02-16 10:37
日企致力于开发功率器件应用材料 以减工时
 评论 ⋅  2021-09-28 14:20
TCL华星开发全新量子点图案化技术：大于 1000PPI
TCL华星显示技术创新中心新材料新型电沉积技术，全色大面积量子点QDs图案化彩膜高性能QLED器件制备
 评论 ⋅  2021-08-04 15:09
ASML第2代EUV光刻机开发传瓶颈，神队友救援力拼原时程问世
 评论 ⋅  2021-06-11 10:35
瑞萨电子携手SiFive共同开发面向汽车应用的新一代高端RISC－V解决方案
 评论 ⋅  2021-04-22 10:15
意法半导体推出新Type-5标签芯片，集成动态消息内容和防篡改功能推进NFC应用开发
 评论 ⋅  2021-01-28 10:27
特斯拉与三星合作开发5nm自动驾驶芯片
 评论 ⋅  2021-01-26 17:14
无惧高温！日本研究开发基于GaN的MEMS谐振器
 评论 ⋅  2021-01-25 12:41
我国将在第十四个“五年计划”里协助开发7nm工艺（2021-2025）
 评论 ⋅  2020-08-13 16:12
环球晶携手国立交大，开发碳化硅等半导体材料技术
环球晶国立交大碳化硅半导体材料技术
 评论 ⋅  2020-06-28 13:51
大口径无曲翘！日本开发出有助于节能的氮化镓单晶基板量产法
大口径无曲翘日本氮化镓单晶基板量产法
 评论 ⋅  2020-06-16 14:09
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