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晶钻科技同质
外延
单晶金刚石新突破
科学家提出倾斜台阶面
外延
生长菱方氮化硼单晶方法
成果推荐| 基于凹槽二次
外延
技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件
石墨烯芯片制造领域,重要里程碑→
碳化硅
超高迁移率
半导体
外延
石墨烯
新进展!西安交通大学实现2英寸单晶金刚石异质
外延
自支撑衬底量产
金刚石
半导体
MPCVD
异质外延
2英寸
量产
4H-SiC 中基面位错滑移带表征和
外延
传播
4H
SiC
晶体缺陷
晶体生长
厦门大学张洪良和上海光机所齐红基团队在深紫外透明导电Si掺杂氧化镓异质
外延
薄膜研究取得进展
北大许福军、沈波团队在氮化物半导体大失配
外延
研究上取得突破性进展
中科院半导体所在硅基
外延
量子点激光器研究取得进展
半导体所在硅基
外延
量子点激光器研究方面取得重要进展
北京大学许福军、沈波团队实现了接近体块级质量的III族氮化物异质
外延
膜
北京大学
III族氮化物
外延层薄膜
宽禁带半导体
简述GaN
外延
生长方法及生长模式
国内首家!厦门大学实现8英寸碳化硅
外延
生长
简述Ir衬底上金刚石半导体异质
外延
生长技术与机理研究进展
长平时代发布用于车载电子的900V硅基氮化镓
外延
片
冯志红团队在(001)单晶金刚石上制备了具有同质
外延
层的金刚石FET
半导体所等研究团队合作在氮化物
外延
方法及新型器件研究中取得系列进展
【成果转化】6 英寸 650V-1200V 碳化硅
外延
片---产业基础领域先进技术产品转化应用目录 (推广篇)(2021年度)》
中国科学家在锗锡材料分子束
外延
方面取得重要进展
西安交大在氧化物薄膜
外延
领域取得重要进展
多层MoS2
外延
晶圆推动二维半导体器件应用的研究进展
半导体晶圆供应商IQE开发出全球首批8英寸VCSEL
外延
片
南京大学、东南大学在双层二维半导体
外延
生长核心技术取得新突破
南京大学等突破双层二维半导体
外延
生长核心技术
日本团队合作开发出高品质第三代100mm氧化镓
外延
片
中科院苏州纳米所团队在石墨烯调控的氮化镓远程
外延
机理研究获新进展
玻璃衬底上首次“异质
外延
”出准单晶氮化镓薄膜
玻璃衬底
异质外延
准单晶
氮化镓
薄膜
碳化硅产业链条核心:
外延
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