新闻资讯
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
长电科技
芯
半导体
中国
天岳先进
华为
第三代半导体
氮化镓
首页
新闻资讯
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
首页
>
新闻资讯
>
搜索
综合排序
最多点击
最新发布
全部类别
技术
材料
产业
财经
应用
中国科大在功率电子
器
件领域取得重要进展
上海光机所在特殊波长的飞秒超快光纤激光
器
研制方面获进展
中科院微电子所:在硅基氮化镓横向功率
器
件的动态可靠性研究方面取得进展
CASA发布《SiC MOSFET功率
器
件的应用可靠性评价技术体系报告》
“一种低操作电压高一致性忆阻
器
及其制备方法”发明专利发布
南京邮电大学氧化镓创新中心(IC-GAO)氧化镓日盲紫外阵列成像
器
件研究取得新突破
简述功率半导体
器
件之IGBT技术及市场发展概况
厦大与黑龙江大学研究人员合作在有机光子
器
件及其集成领域取得重要进展
厦大研究团队在高灵敏、自供电氧化镓日盲紫外光电探测
器
研究取得进展
简述金刚石在 GaN 功率放大
器
热设计中的应用
湖南科技大学材料学院在半导体
器
件散热领域取得新进展
简述一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗GaN功率
器
件
内置深度学习算法|OPT(奥普特)智能读码
器
精准识码
半导体所成功研制一款极低电压低抖动低功耗频率综合
器
芯片
简述碳化硅功率
器
件封装的三个关键技术
简述GaN功率
器
件应用可靠性增长研究
北京大学在氧化物半导体
器
件方向取得系列重要进展
厦大研究团队利用蓝紫光LED泵浦实现双波长放大的聚合物光波导放大
器
简述氮化镓晶格排列氧化氮化镓纳米层的形成及其在电子
器
件中的应用
简述选择GaN或SiC
器
件的重点
简述通过栅极驱动
器
提高开关电源功率密度
东南大学两项研究成果发表于电子
器
件领域顶会IEDM
上海微系统所在碳化硅异质集成材料与光子
器
件领域取得进展
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率
器
件
武汉大学袁超研究员:热反射表征技术在宽禁带半导体材料和
器
件领域的应用进展
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管
器
件
中国科大在氧化镓半导体
器
件领域取得重要进展
简述电力电子中 IGBT 散热
器
选型应用
简述第三代半导体材料和
器
件中的热科学和工程问题
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管
器
件
第
3
页/共
8
页
首页
下一页
上一页
尾页
联系客服
投诉反馈
顶部