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许福军、沈波团队成功实现垂直注入AlGaN基深紫外发光器件的晶圆级制备
 评论 ⋅  2024-11-12 18:43
中国科大在钙钛矿软X射线探测器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-10-23 19:10
中国科大在钙钛矿软X射线探测器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-10-21 08:25
至芯半导体取得重大突破，推出高光效UV器件
 评论 ⋅  2024-10-16 09:08
Nature | 康奈尔大学：光电功能器件最新突破
 评论 ⋅  2024-10-11 16:32
中国科大微电子学院在GaN功率电子器件浪涌特性研究方向取得新进展
 评论 ⋅  2024-10-10 20:42
中科院微电子所在GaN器件研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2024-10-10 11:14
中国科大在仿生光电神经感知器件领域取得新突破
 评论 ⋅  2024-09-12 20:58
西电在逻辑运算器件领域取得重要突破
 评论 ⋅  2024-08-06 09:47
中国科学院半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2024-07-22 11:27
北京大学在GaN功率器件可靠性与集成技术方面取得系列进展
 评论 ⋅  2024-07-12 22:09
晶合集成申请半导体专利，能提高半导体器件的稳定性和平衡性
 评论 ⋅  2024-05-30 09:37
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率
 评论 ⋅  2024-04-08 19:10
日本开发在磁场下实现电阻开关效应的半导体器件
 评论 ⋅  2024-04-07 18:23
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件
 评论 ⋅  2024-03-13 20:11
山东大学郝晓涛团队在有机半导体光伏器件物理研究中取得新进展
 评论 ⋅  2024-03-05 14:05
复旦大学微电子学院器件工艺团队研发基于全无机钙钛矿的多功能集成光子器件
 评论 ⋅  2024-02-21 09:45
西电郝跃院士团队在超陡垂直晶体管器件研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2024-02-20 14:12
北大团队新型器件技术加速GaN进入工业与汽车应用
 评论 ⋅  2024-02-08 19:58
联合攻关成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功
 评论 ⋅  2024-01-24 17:49
量子半导体器件实现拓扑趋肤效应
 评论 ⋅  2024-01-23 10:53
器件新突破！香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和碳化硅二者优点的实验晶体管！
 评论 ⋅  2024-01-19 13:12
北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件，耐压能力大于6500V
北超低动态电阻氮化镓高压器件耐压6500V
 评论 ⋅  2024-01-11 11:17
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石SiCGaN衬底
 评论 ⋅  2024-01-04 09:28
北京大学申请半导体器件结构专利
 评论 ⋅  2023-12-27 16:53
中国科学院长春光机所黎大兵研究团队喜获吉林省技术发明一等奖
氮化铝深紫外光电器件吉林省技术发明一等奖黎大兵孙晓娟蒋科吴亮徐春阳贲建伟
 评论 ⋅  2023-12-26 09:33
九峰山实验室着力破解太赫兹器件频率瓶颈
 评论 ⋅  2023-12-05 15:05
嘉善复旦研究院与复旦大学科研团队在低传导损耗功率器件方面取得重大进展
 评论 ⋅  2023-10-23 16:54
苏州纳米所在新型氮化镓基光电器件领域取得进展
 评论 ⋅  2023-10-18 10:44
西安电子科技大学郝跃院士团队：氧化镓功率器件研究成果
 评论 ⋅  2023-08-24 14:51
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