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中国科学院
半导体
所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展
北美科学家研发出一种新型超薄晶体薄膜
半导体
中国科学院郑婉华院士团队
半导体
所有源光束扫描激光器研发取得进展
中国科学院
半导体
所在可调谐MEMS-VCSEL研究方面取得进展
江苏通用
半导体
成功实现剥离出130um厚度超薄SiC晶圆片
复旦大学研发
半导体
性光刻胶,实现特大规模集成度有机芯片制造
积塔
半导体
BCD复合高压隔离器平台开发团队:积沙成塔,用“芯”取得新突破
中国科学家在
半导体
领域获突破 登上《自然》杂志
808nm高功率
半导体
激光芯片取得重大突破
晶合集成申请
半导体
专利,能提高
半导体
器件的稳定性和平衡性
日本开发在磁场下实现电阻开关效应的
半导体
器件
半导体
所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
日本初创公司开发功率
半导体
生产新材料 成本降低75%
山东大学郝晓涛团队在有机
半导体
光伏器件物理研究中取得新进展
厦大物理宽禁带
半导体
团队在量子点电子态和自旋态操控领域取得重要进展
量子
半导体
器件实现拓扑趋肤效应
清溢光电:已实现180nm工艺节点
半导体
芯片掩膜版的量产
中国科学院
半导体
研究所在脉冲型人工视觉芯片研制取得新进展
首个由石墨烯制成的功能
半导体
问世 电子迁移率是硅的10倍
石墨烯芯片制造领域,重要里程碑→
碳化硅
超高迁移率
半导体
外延
石墨烯
新进展!西安交通大学实现2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底量产
金刚石
半导体
MPCVD
异质外延
2英寸
量产
厦门大学林楷强教授团队在二维
半导体
材料的激子研究方面取得新进展
北京大学申请
半导体
器件结构专利
中科院
半导体
研究所公开一项集成光子芯片专利 可提升光模块性能
国际首次!南大团队将二维
半导体
集成电路推向千兆赫兹
镓和
半导体
展示多规格氧化镓单晶衬底并首次公开发布4英寸(100)面单晶衬底参数
中国科学院
半导体
研究所等在莫尔异质结层间激子研究方面取得进展
复旦大学李自清青年副研究员、方晓生教授:低维宽禁带
半导体
紫外光探测器
复旦大学课题组在Nature Reviews Materials期刊发表低维宽禁带
半导体
用于紫外光探测器的研究综述
孙东明:攻克“卡脖子”难题实现
半导体
控温芯片自主可控
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