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天津大学成功研发5.5G/6G多频段多标准
兼容
毫米波芯片套片
基于原子层沉积技术的具有常温相变能力的钨掺杂二氧化钒
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于8寸晶圆及PI薄膜
中科院上海微系统所团队实现基于III-V族量子点确定性量子光源和CMOS
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碳化硅的混合集成光量子学芯片
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