新闻资讯
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
长电科技
芯
半导体
中国
天岳先进
华为
第三代半导体
氮化镓
首页
新闻资讯
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
首页
>
新闻资讯
>
搜索
综合排序
最多点击
最新发布
全部类别
技术
材料
产业
财经
应用
晶合集成申请半导体
专利
,能提高半导体器件的稳定性和平衡性
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法
专利
,显著提升器件的光输出功率
北京大学申请p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法
专利
,实现电流密度的增加
北京大学申请半导体器件结构
专利
中科院半导体研究所公开一项集成光子芯片
专利
可提升光模块性能
华为公布倒装芯片封装最新
专利
!
“一种低操作电压高一致性忆阻器及其制备方法”发明
专利
发布
氮化镓栅极驱动
专利
:RC负偏压关断
专利
技术之台达电子篇
氮化镓栅极驱动
专利
:RC负偏压关断技术之松下篇
简述纳微GaNSense技术及
专利
布局
华为公布量子芯片新
专利
,若实现商用或革新当下硅基芯片技术
又2项,华为再公开芯片相关
专利
苹果公布超薄触摸显示技术
专利
:可直接减少显示屏层的结构
苹果
超薄
触摸显示
技术
专利
显示屏层
博尔博(Bolb)声明:UV LED
专利
诉讼案庭外和解,未承认
专利
侵权指控
博尔博
Bolb
声明
UV
LED
专利诉讼案
庭外和解
专利侵权
指控
联系客服
投诉反馈
顶部