华北电力大学李学宝：高压SiC器件中的封装绝缘问题研究
 评论 ⋅  2020-12-17 17:44
重庆大学曾正:碳化硅功率模块的先进封装测试技术
 评论 ⋅  2020-12-17 17:39
浙江大学任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性问题的研究
 评论 ⋅  2020-12-17 17:27
厦门大学邱宇峰教授：碳化硅功率半导体器件在电力系统中的应用
 评论 ⋅  2020-12-17 17:17
中山大学黎城朗：凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响研究
 评论 ⋅  2020-12-16 18:30
英诺赛科谢文元：八英寸硅基氮化镓产业化进展
 评论 ⋅  2020-12-16 18:26
电子科技大学教授周琦：基于超薄势垒AlGaN/GaN异质结与混合阳极二极管技术的功率整流器与微波混频器
 评论 ⋅  2020-12-16 18:23
中国空间技术研究院北京卫星制造厂郑岩：宽禁带功率器件的宇航应用技术
 评论 ⋅  2020-12-16 18:20
北京大学尹瑞苑：氮化镓MIS结构界面相关陷阱态：物性、表征及模型
 评论 ⋅  2020-12-16 18:17
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所周宇：硅基GaN增强型HEMT电力电子器件
 评论 ⋅  2020-12-16 18:13
南方科技大学于洪宇：Si基GaN功率器件及其上电源系统的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-16 18:05
照明工程行业上市公司名家汇拟布局功率半导体产业
 评论 ⋅  2020-12-16 16:31
中国信通院：未来2-3年我国5G发展仍处有利时机，但面临诸多挑战
 评论 ⋅  2020-12-16 16:23
Cree与Tek将于12月23日联合直播，宽禁带半导体SiC器件发展及在OBC应用
 评论 ⋅  2020-12-16 14:40
中国电科十三所王元刚：高性能Ga2O3，SBD功率器件研究
 评论 ⋅  2020-12-15 16:08
山东大学张雷：温度梯度对PVT法生长AlN晶体的影响
 评论 ⋅  2020-12-15 16:06
郑州大学刘玉怀：金刚石衬底上六方相氮化硼薄膜的有机金属气相外延
 评论 ⋅  2020-12-15 16:01
​东芝和富士电机将投资20亿美元发展功率器件
 评论 ⋅  2020-12-15 12:49
中芯国际等21家中企，被剔除道琼斯指数
中芯国际中企剔除道琼斯指数
 评论 ⋅  2020-12-15 11:59
泰科天润项目预计年底通线投产
泰科天润项目通线投产
 评论 ⋅  2020-12-15 11:56
重磅！蒋尚义回归中芯国际！
蒋尚义中芯国际
 评论 ⋅  2020-12-15 11:51
世界先进寻求收购，缓解八英寸产能
 评论 ⋅  2020-12-15 11:37
计划明年5月试生产12英寸晶圆流片，禄亿半导体项目预计明年下半年投产
12英寸晶圆流片禄亿半导体
 评论 ⋅  2020-12-15 11:36
2020半导体及元件企业50强
2020半导体元件企业50强
 评论 ⋅  2020-12-15 11:33
比亚迪：将加快推进比亚迪半导体分拆上市工作
 评论 ⋅  2020-12-15 11:30
多家日企投资扩产功率半导体 电动车大发展成首要驱动力
日企扩产功率半导体电动车驱动力
 评论 ⋅  2020-12-15 11:26
西安交通大学李强:磁控溅射沉积hBN薄膜的最新进展
 评论 ⋅  2020-12-14 17:38
湖北大学何云斌:高性能基于氧化镓的日盲光电探测器的开发
 评论 ⋅  2020-12-14 17:23
上海光学精密机械研究所夏长泰:极宽禁带半导体氧化镓单晶掺质之实践与思考
 评论 ⋅  2020-12-14 17:19
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所吴林枫：基于自隔离键合技术的大功率倒装芯片单片集成发光二极管
 评论 ⋅  2020-12-14 16:05
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