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2020年中国第三代半导体材料行业政策汇总及解读(全)国家高度重视发展
博蓝特聚焦第三代半导体材料领域
大唐移动发布《6G愿景与技术趋势白皮书》
长飞资本认购私募基金份额 投资半导体产业
行业数据|中国大陆进口晶圆、硅材料数据统计(2020/11)
英伟达正规划5nm架构显卡:流处理器数量猛增71%
上海积塔半导体首台ASML 12吋光刻机正式进场
Silicon Catalyst:创新无国界 半导体新星无所不在
博通集成就收购半导体企业ADVEOS达成最终协议
入主后TCL科技再增持 中环股份“光伏+半导体”双主业还能释放多少空间?
第三代半导体迎来应用大爆发!阿里达摩院发布2021十大科技趋势
小米取消赠送充电器,氮化镓充电器有望再度迎来风口?
小米
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充电器
博蓝特科创板IPO申请获上交所受理 将重点拓展碳化硅衬底产业链
博蓝特
科创板
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产业链
工信部开展2020年度重点新材料首批次应用保险补偿机制试点工作
工信部
重点新材料
首批次应用
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2021年全球半导体行业销售额将增长8.4%,行业并购将继续
2020年5G手机销量占比将超75% 解决“缺芯”之痛需多举措发力
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涨价!8寸晶圆代工产能紧缺!看全球前十大晶圆代工厂都是谁?
欧盟半导体产业建立“攻守联盟”
比亚迪明年有自己的SiC产线,车规级IGBT已到5代
许继电气、平高电气或划归中国西电集团
宏微科技科创板IPO获受理,拟募资5.58亿元
日本丰田汽车公司Kimimori HAMADA:超窄体(UNB)MOSFET和接地窄而深p(GND)MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑战性结构
沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学Iman S. ROQAN:原位无位错多晶GaN层在宽范围衬底上生长高效率的无催化剂GaN纳米线
澳大利亚格里菲斯大学Jisheng HAN:4H-SiC MOS器件中活性缺陷的量化表征
日本名古屋大学宇治原徹:CFD模拟预测系统在SiC生长中的应用
IGBT龙头斯达半导拟投资2.29亿元布局碳化硅赛道
科技部部长王志刚:完善科技创新体制机制
南大光电自主研发第一只国产ArF光刻胶通过验证
中电科55所李士颜博士:碳化硅功率MOSFET研究进展
深圳第三代半导体研究院杨安丽:抑制4H-SiC功率器件双极型退化的“复合提高层”设计
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