山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石SiCGaN衬底
 评论 ⋅  2024-01-04 09:28
厦门大学林楷强教授团队在二维半导体材料的激子研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-01-03 15:32
4H-SiC 中基面位错滑移带表征和外延传播
4HSiC晶体缺陷晶体生长
 评论 ⋅  2024-01-02 15:38
日本团队：金刚石MOSFET研制取得最新进展
钻石MOSFET
 评论 ⋅  2023-12-29 16:52
北京大学申请半导体器件结构专利
 评论 ⋅  2023-12-27 16:53
中国科学院长春光机所黎大兵研究团队喜获吉林省技术发明一等奖
氮化铝深紫外光电器件吉林省技术发明一等奖黎大兵孙晓娟蒋科吴亮徐春阳贲建伟
 评论 ⋅  2023-12-26 09:33
武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 18:02
金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学东北大学金刚石基板氮化镓晶体管
 评论 ⋅  2023-12-21 16:57
太原理工大学和武汉大学在金刚石/氮化镓薄膜生长工艺与热物性表征领域研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 10:20
中科院半导体研究所公开一项集成光子芯片专利 可提升光模块性能
 评论 ⋅  2023-12-15 14:28
全球首颗！我国芯片领域取得重大突破！
芯片，存算一体，忆阻器，人工智能，自动驾驶，光刻胶
 评论 ⋅  2023-12-15 11:08
九峰山实验室着力破解太赫兹器件频率瓶颈
 评论 ⋅  2023-12-05 15:05
中科大龙世兵课题组 | 基于交变栅压调制的Ga2O3光电探测器
 评论 ⋅  2023-12-04 21:22
日本开发新技术，可实现GaN垂直导电
 评论 ⋅  2023-11-16 16:59
宁波材料所研发氧化镓基日盲紫外光电探测器的低温制备技术
 评论 ⋅  2023-11-16 10:38
厦大曹阳教授团队在单原子层六方氮化硼用于提升析氧反应性能研究方面取得进展
 评论 ⋅  2023-11-10 13:48
北理工团队在室温运行中波红外探测器研究方面取得突破性进展
 评论 ⋅  2023-11-10 11:56
科研新进展 | 厦门大学张保平教授课题组发表绿光GaN基VCSEL重要成果
 评论 ⋅  2023-11-09 17:12
中国首个缪子源实验站即将开建
 评论 ⋅  2023-11-07 18:34
上海技物所在片上红外光电逻辑门智能芯片研究方面取得进展
 评论 ⋅  2023-11-06 18:51
南开团队在缺陷调控构筑新光电材料方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-11-03 10:23
清华发布新Nature，实现光电融合新突破！
 评论 ⋅  2023-11-01 10:48
我国芯片领域实现新突破 算力提升三千余倍
 评论 ⋅  2023-10-31 16:44
上海硅酸盐所碳化硅陶瓷增材制造研究获进展
 评论 ⋅  2023-10-31 14:53
国际首次！南大团队将二维半导体集成电路推向千兆赫兹
 评论 ⋅  2023-10-30 17:44
深港微电子学院安丰伟课题组在图像芯片领域取得新进展
 评论 ⋅  2023-10-26 14:30
镓和半导体展示多规格氧化镓单晶衬底并首次公开发布4英寸（100）面单晶衬底参数
 评论 ⋅  2023-10-24 16:35
本源科仪国产量子芯片设计工业软件Q-EDA完成第四次技术迭代
 评论 ⋅  2023-10-24 16:32
上海微系统所在300 mm SOI晶圆制造技术方面实现突破
 评论 ⋅  2023-10-23 20:21
长春光机所和武汉大学联合团队OEA | 深紫外LED高效消杀人类呼吸道RNA病毒
 评论 ⋅  2023-10-23 17:37
 «上一页   1   2   …   4   5   6   7   8   …   31   32   下一页»   共931条/32页 
联系客服 投诉反馈  顶部