中国科学家在半导体领域获突破 登上《自然》杂志
 评论 ⋅  2024-06-12 11:42
名古屋大学天野浩团队Nature发文：氮化镓 的2D-Mg掺杂现象
 评论 ⋅  2024-06-11 09:54
Nano Lett.∣高效载流子倍增实现紫外光电探测器EQE突破
 评论 ⋅  2024-06-07 13:58
西安交大刘明教授团队在柔性自支撑反铁电氧化物单晶薄膜研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-06-04 13:40
808nm高功率半导体激光芯片取得重大突破
 评论 ⋅  2024-06-03 11:25
晶合集成申请半导体专利，能提高半导体器件的稳定性和平衡性
 评论 ⋅  2024-05-30 09:37
沙特KAUST李晓航团队：无刻蚀损伤的microLED像素制造技术
 评论 ⋅  2024-05-28 11:23
吕坚院士团队 l 3D打印莫来石增强的碳化硅气凝胶复合材料
 评论 ⋅  2024-05-27 10:26
复旦大学芯片院在高速低EMI功率集成电路设计领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-05-13 11:50
国内首款！2Tb/s三维集成硅光芯粒成功出样
 评论 ⋅  2024-05-10 09:33
我国高性能光子芯片领域取得突破 可批量制造！
 评论 ⋅  2024-05-09 14:47
技术进展|突破性研究：GaN-on-Diamond键合界面热阻显著降低
 评论 ⋅  2024-05-06 13:57
科学家提出倾斜台阶面外延生长菱方氮化硼单晶方法
 评论 ⋅  2024-05-06 11:06
中国科大孙海定教授和武大刘胜院士Nature Electronics封面论文: 发明新型氮化镓光电二极管
 评论 ⋅  2024-04-30 14:07
厚度达100 mm! 碳化硅单晶生长取得新进展
 评论 ⋅  2024-04-29 07:34
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率
 评论 ⋅  2024-04-08 19:10
日本开发在磁场下实现电阻开关效应的半导体器件
 评论 ⋅  2024-04-07 18:23
九峰山实验室+华中科大联合攻关，一种新型光刻胶技术完成初步工艺验证
 评论 ⋅  2024-04-02 19:48
厦门大学康俊勇教授团队：人工智能无损表征技术，助力SiC晶体生长
 评论 ⋅  2024-03-29 10:53
一种IGBT结温预测的方法
 评论 ⋅  2024-03-28 20:31
北京大学申请p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法专利，实现电流密度的增加
 评论 ⋅  2024-03-26 18:37
中国科学院微电子所在厚膜氮化镓与多晶金刚石异质集成方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-03-21 15:06
厦门大学于大全教授团队与华为团队合作 在先进封装金刚石散热技术领域取得突破
 评论 ⋅  2024-03-20 20:45
西交大科研人员在hBN真空紫外探测器领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-03-18 10:08
光谷实验室攻克量子点短波红外成像新技术
 评论 ⋅  2024-03-14 20:23
哈工大郑州研究院在CVD法制备纯净分散纳米金刚石技术领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-03-14 19:55
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件
 评论 ⋅  2024-03-13 20:11
中科大孙海定教授Adv. Mater.: 构建双极型氮化镓PN结实现双通道加密光通信应用
 评论 ⋅  2024-03-11 17:46
丰田合成、大阪大学等 成功制备6吋GaN衬底
 评论 ⋅  2024-03-11 16:54
半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
 评论 ⋅  2024-03-07 09:47
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