《SiC MOSFET可靠性分析》联盟技术报告正式立项
 评论 ⋅  2022-03-24 15:51
大功率半导体技术现状及其进展
 评论 ⋅  2022-03-23 16:45
南京大学 | 基于MoS2-BN-Graphene范德华异质结的多功能半浮栅晶体管
 评论 ⋅  2022-03-23 15:25
向单芯片的GaN器件进军
 评论 ⋅  2022-03-22 10:04
芯片上的突破！清华制成世界上栅极长度最小晶体管
 评论 ⋅  2022-03-21 16:16
天津大学马凯学团队在5G/6G毫米波技术取得新进展
 评论 ⋅  2022-03-21 11:31
上海有机所在阻转异构类有机半导体材料与器件研究中取得进展
 评论 ⋅  2022-03-21 10:51
国家纳米科学中心在自旋分子存储器方面取得新进展
 评论 ⋅  2022-03-18 17:08
苏州医工所董建飞课题组在数据驱动的学习控制方面取得研究进展
 评论 ⋅  2022-03-18 10:48
南科大潘权团队在高速通信芯片设计领域取得系列新成果
 评论 ⋅  2022-03-18 10:44
上海光机所提出可见激光材料暗化问题解决新方案
 评论 ⋅  2022-03-18 10:40
世界上最大的超6英寸GaN籽晶问世！
 评论 ⋅  2022-03-17 11:39
长光所在量子陀螺专用垂直腔面发射激光器研制和应用方面取得进展
 评论 ⋅  2022-03-17 09:46
中科院微电子研究所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展
 评论 ⋅  2022-03-15 11:52
中科院微电子所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展
 评论 ⋅  2022-03-14 19:16
碳化硅功率器件技术综述与展望
 评论 ⋅  2022-03-11 16:23
清华大学团队首次实现了具有亚1nm栅极长度的晶体管
 评论 ⋅  2022-03-11 10:35
澜起科技：整个DDR5相关芯片价值量高于DDR4，DDR5第二子代芯片正在研发
 评论 ⋅  2022-03-08 10:41
电装SiC功率半导体的诞生之路和未来的可能性
 评论 ⋅  2022-03-04 10:59
世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上氧化镓成膜成功
HVPE法6英寸晶片氧化镓成膜
 评论 ⋅  2022-03-02 09:24
清华大学交叉信息研究院段路明课题组实现量子存储器增强的非局域图态制备
 评论 ⋅  2022-03-01 15:45
郑州大学物理学院在自供能多色显示研究方面取得进展
 评论 ⋅  2022-02-28 13:27
中电科二所研制出山西省首片碳化硅芯片
 评论 ⋅  2022-02-28 11:01
西电周弘教授：超宽禁带半导体材料氧化镓器件最新研究进展
 评论 ⋅  2022-02-22 13:35
北大物理学院高鹏课题组揭示氮化物异质结界面声子输运机制
 评论 ⋅  2022-02-22 11:41
基于SiC逆变器的电动汽车永磁同步电机控制系统研究
 评论 ⋅  2022-02-22 11:15
SK海力士开发出下一代智能内存芯片技术PIM
 评论 ⋅  2022-02-16 10:37
中国科大潘建伟院士团队等与海外团队合作《Science》发文报道首次观测到费米超流中的熵波临界发散
 评论 ⋅  2022-02-11 10:55
中科院苏州纳米所团队在石墨烯调控的氮化镓远程外延机理研究获新进展
 评论 ⋅  2022-02-10 09:13
碳化硅激光剥离设备国产化 中电科二所取得突破性进展
 评论 ⋅  2022-02-09 10:18
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