东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:10
山东大学成功研制高质量4英寸氧化镓晶体
 评论 ⋅  2022-09-28 15:53
自举电路工作原理和自举电阻和电容的选取
 评论 ⋅  2022-09-26 17:25
合肥工业大学在可重定义微波无源器件研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2022-09-22 17:12
韩科研团队研发新一代半导体气敏传感器
 评论 ⋅  2022-09-22 10:40
深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT
 评论 ⋅  2022-09-22 08:56
山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学晶体材料4HSiC衬底8英寸
 评论 ⋅  2022-09-21 08:45
解析电子封装陶瓷基板
 评论 ⋅  2022-09-20 17:10
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-09-19 17:45
一文了解金刚石半导体
 评论 ⋅  2022-09-19 10:45
南京大学科研团队在下一代光电芯片制造领域获重大突破！
 评论 ⋅  2022-09-16 19:13
技术分享：基于氮化镓单晶衬底的增强型氮化镓HEMTs
 评论 ⋅  2022-09-15 17:03
简述晶圆级多层堆叠封装技术
 评论 ⋅  2022-09-14 15:46
研究人员利用氮化镓开发新型电子设备
 评论 ⋅  2022-09-14 15:10
苏州纳米所器件部樊士钊等JAP：利用电子通道衬度成像方法分析氮化镓异质结中的穿透位错和失配位错
 评论 ⋅  2022-09-14 13:59
南京大学余林蔚教授课题组实现面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超细晶硅纳米线可靠生长集成
 评论 ⋅  2022-09-13 13:31
面向可重构整流电路的互补型栅控PN结电路研究
 评论 ⋅  2022-09-13 10:24
简述晶圆级多层堆叠技术
 评论 ⋅  2022-09-08 10:16
高导热金刚石/铜复合材料的制备与界面调控研究进展
 评论 ⋅  2022-09-07 11:04
金刚石在GaN功率放大器热设计中的应用
 评论 ⋅  2022-09-06 19:28
一文读懂氧化镓半导体
 评论 ⋅  2022-09-06 18:56
WOLFSPEED：​使用碳化硅进行双向车载充电机设计
 评论 ⋅  2022-09-05 19:30
湖南三安发布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ
 评论 ⋅  2022-09-05 18:43
一种基于基板埋入技术的新型SiC功率模块封装及可靠性优化设计方法
 评论 ⋅  2022-09-02 09:52
哈尔滨工业大学科研团队通过选择性生长方法制备了准垂直金刚石肖特基二极管
 评论 ⋅  2022-09-02 09:34
自研基于 6 寸碳化硅晶圆的 6.5kV MOSFET功率模块测试分析
 评论 ⋅  2022-09-01 16:59
打破电动汽车“里程焦虑”，主驱能效如何升级？
 评论 ⋅  2022-08-31 18:06
二维金刚石的结构与性质若干进展
 评论 ⋅  2022-08-31 11:16
中科院合肥研究院安光所团队在高分辨率激光外差光谱技术研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2022-08-31 09:43
高导热金刚石材料的制备及器件应用进展
 评论 ⋅  2022-08-30 11:58
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