半导体产业快速发展带动下 PBN（热解氮化硼）市场需求空间广阔
 评论 ⋅  2023-02-28 14:01
中国科大龙世兵课题组研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管
 评论 ⋅  2023-02-27 11:47
简述GaN功率器件应用可靠性增长研究
 评论 ⋅  2023-02-24 15:10
中科院研发铜掺杂p型半导体材料，可印制1-20nm厚的二维薄膜材料
 评论 ⋅  2023-02-24 10:52
南科大电子系化梦媛团队揭示与氮化镓晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用
 评论 ⋅  2023-02-22 15:14
北京大学在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展
 评论 ⋅  2023-02-20 19:32
简述影响 MPCVD 法制备金刚石质量的因素研究
 评论 ⋅  2023-02-03 18:44
简述Ir衬底上金刚石半导体异质外延生长技术与机理研究进展
 评论 ⋅  2023-02-02 19:09
简述高压 SiC MOSFET 研究现状与展望
 评论 ⋅  2023-02-02 17:49
厦大研究团队利用蓝紫光LED泵浦实现双波长放大的聚合物光波导放大器
 评论 ⋅  2023-01-31 17:53
华中科技大学又一篇Science
 评论 ⋅  2023-01-29 09:33
东大团队研究成果荣膺2022年度“中国半导体十大研究进展”
 评论 ⋅  2023-01-16 15:14
简述氮化镓的合成制备及展望
 评论 ⋅  2023-01-12 16:05
2022年度中国半导体十大研究进展
 评论 ⋅  2023-01-12 11:49
简述氮化镓晶格排列氧化氮化镓纳米层的形成及其在电子器件中的应用
 评论 ⋅  2023-01-10 17:06
清华大学研究组在低维半金属半导体接触研究中取得进展
 评论 ⋅  2023-01-10 15:13
上海光机所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究进展
 评论 ⋅  2023-01-10 09:22
简述选择GaN或SiC器件的重点
 评论 ⋅  2023-01-09 17:08
简述通过栅极驱动器提高开关电源功率密度
 评论 ⋅  2023-01-05 09:29
长春应化所在晶态有机发光二极管研究中取得重要进展
 评论 ⋅  2023-01-05 09:28
东南大学两项研究成果发表于电子器件领域顶会IEDM
 评论 ⋅  2023-01-04 09:40
厦大课题组在有机半导体空穴传输材料领域取得系列进展
 评论 ⋅  2023-01-04 09:37
山东省新一代半导体技术与系统等重点实验室批准建设
 评论 ⋅  2023-01-03 16:06
俄亥俄州立大学的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力
 评论 ⋅  2023-01-03 15:21
上海微系统所在碳化硅异质集成材料与光子器件领域取得进展
 评论 ⋅  2022-12-30 15:25
中国科大在低维光伏材料点缺陷性质研究中取得新进展
 评论 ⋅  2022-12-30 09:13
清华大学研究团队合作利用激光加工氮化硼实现大规模高性能量子光源
 评论 ⋅  2022-12-28 14:53
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断专利技术之台达电子篇
 评论 ⋅  2022-12-27 16:03
浅谈碳化硅寿命中的挑战
 评论 ⋅  2022-12-22 15:09
硅基氮化镓Micro-LED，实现高速可见光通信信号探测
 评论 ⋅  2022-12-19 18:47
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