打破国外垄断 武汉先进院有机硅材料制备技术取得突破
 评论 ⋅  2023-04-11 07:55
简述碳化硅衬底制备的重点与难点
 评论 ⋅  2023-04-10 14:05
复旦研究团队实现单芯片紫光Micro-LED超过10Gbps通信速率
 评论 ⋅  2023-04-07 18:33
简述MOSFET与IGBT的区别
 评论 ⋅  2023-04-04 11:50
简述功率半导体器件之IGBT技术及市场发展概况
 评论 ⋅  2023-04-03 17:04
厦大与黑龙江大学研究人员合作在有机光子器件及其集成领域取得重要进展
 评论 ⋅  2023-04-03 15:58
第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势
 评论 ⋅  2023-03-28 18:11
中国科大首次实现基于碳化硅中硅空位色心的高压原位磁探测
 评论 ⋅  2023-03-28 17:16
西安交大科研人员在垂直结构hBN/BAlN异质结电学特性研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-03-28 16:45
厦大研究团队在高灵敏、自供电氧化镓日盲紫外光电探测器研究取得进展
 评论 ⋅  2023-03-27 17:03
简述金刚石在 GaN 功率放大器热设计中的应用
 评论 ⋅  2023-03-27 11:28
国际首次！科研团队在基于碳化硅硅空位色心的高压原位磁探测研究方面取得突破
 评论 ⋅  2023-03-24 13:35
复旦大学研究团队实现自激活存算一体超快闪存
 评论 ⋅  2023-03-23 11:09
中国科大在电源管理芯片设计领域取得新进展
 评论 ⋅  2023-03-22 17:20
湖南科技大学材料学院在半导体器件散热领域取得新进展
 评论 ⋅  2023-03-20 09:35
国内首家！厦门大学实现8英寸碳化硅外延生长
 评论 ⋅  2023-03-17 12:43
世界首例！西湖大学发现具有本征相干性的光阴极量子材料
 评论 ⋅  2023-03-16 17:33
简述一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗GaN功率器件
 评论 ⋅  2023-03-16 15:12
内置深度学习算法|OPT（奥普特）智能读码器精准识码
 评论 ⋅  2023-03-16 09:46
半导体所成功研制一款极低电压低抖动低功耗频率综合器芯片
 评论 ⋅  2023-03-14 09:23
东大科研团队3篇论文入选第70届“芯片设计国际奥林匹克会议”（ISSCC）
 评论 ⋅  2023-03-10 16:09
西安邮电大学重点实验室成功制备高耐压性能半导体材料
 评论 ⋅  2023-03-09 15:17
简述HVPE 法 GaN 单晶掺杂研究新进展
 评论 ⋅  2023-03-08 16:41
突破！中国科大研究团队创造性开发出半导体材料激光直写方法
 评论 ⋅  2023-03-08 16:28
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！
 评论 ⋅  2023-03-08 10:00
半导体SERS基底非吸附分析物检测获进展
 评论 ⋅  2023-03-07 09:55
半导体所在激子-声子的量子干涉研究中获进展
 评论 ⋅  2023-03-07 09:54
简述SiC碳化硅单晶的生长原理
 评论 ⋅  2023-03-03 10:48
从600块降到10块，中科院攻克重要芯片技术难关
 评论 ⋅  2023-03-03 10:44
简述碳化硅功率器件封装的三个关键技术
 评论 ⋅  2023-02-28 14:13
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