天眼查显示，泰科天润半导体科技(北京)有限公司“一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法”专利公布，申请公布日为2025年3月7日，申请公布号为CN119584570A。
本发明提供了一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成扩散区、续流区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积形成栅介质层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备，在器件内部构建了P型扩散区和N型均流区构建的超结结构，可以在固定厚度和面积条件下有效提高器件的耐压能力，构建了肖特基二极管，可以有效降低器件的反向恢复时间，实现快恢复。
