2025九峰山论坛＆CSE展会盛大开幕！化合物半导体产业灯塔在光谷点亮

九峰山论坛开幕大会  群贤聚首为产业新时代定下基调

“中国半导体行业正以自主创新的决心，在全球产业变革中书写自己的方案。”中国工程院院士，华中科技大学校长尤政在开幕致辞中表示，华中科技大学要在这个过程中力争成为全球化合物半导体技术发展的策源地，推动构筑产业生态协同创新的共同体，助力光谷建成为具有全球竞争力的半导体产业群，培育出行业顶尖人才与创新文化底蕴。

中国工程院院士，华中科技大学校长尤政

中国半导体行业协会理事长陈南翔指出，国内化合物半导体产业要坚定发展信心，直面各种挑战。在洞察产业大势的前提下，推动产业良性发展，并且要坚持开放协同，成为全球化合物半导体的价值创造者。最后他发出诚挚邀约，共赴武汉光谷这片发展热土。

中国半导体行业协会理事长陈南翔

本届大会嘉宾阵容堪称鼎盛：中国科学院院士李树深，中国科学院院士、南昌实验室主任江风益，中国科学院院士、厦门大学党委书记张荣，中国科学院院士、武汉大学教授刘胜，瑞典皇家科学院及工程院两院院士Lars Samuelson以及第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲等院士专家莅临现场；粤芯半导体董事长陈谨、华工科技董事长马新强、英诺赛科董事长骆薇薇等企业界代表齐聚一堂。

 布局未来，开启化合物半导体产业新篇章

近两年，化合物半导体凭借其在光电转换效率、高频高功率性能上的突破，已成为新一代通信、新能源汽车、量子信息、人工智能等战略领域的“核心引擎”。光谷以九峰山实验室为依托，加快发展化合物半导体产业。围绕九峰山实验室，光谷制定了九峰山科技园发展规划，组建了化合物半导体专项基金，正在打造化合物半导体产业创新街区，力争3年内引进和培育上下游企业100家，建成千亿产业街区，成为化合物半导体领域“世界灯塔”。 

开幕式上，包括诚芯智联全自动标定研发生产基地、埃芯半导体量检测设备研发生产基地、腾景科技高速COB光引擎研发生产基地、引光联创中心项目在内的化合物半导体领域重点项目现场签约。同时，2025“武创荟”·双谷联动科技创新对接活动上，高压SiC车载电源研发、氧化镓功率器件全链条产业化、高端化合物半导体外延片研发、常压等离子体制备掺杂合成石英研发、超高重频光纤激光器封装制造项目也举行了签约仪式。

作为开幕式的一大亮点，九峰山实验室技术服务体系暨装备材料验证线上平台发布仪式备受瞩目。九峰山实验室丁琪超主任表示，九峰山实验室在化合物半导体材料研究的基础上重点布局异质集成技术，针对化合物半导体材料多元、工艺复杂的挑战，实验室启动中试线2.0升级，同步发布多款标准化工艺设计包（PDK），为业内企业提供技术支持。

共探技术攻坚与产业突围之路

在精彩报告与高峰对话环节，来自学术界、企业界的重磅嘉宾围绕化合物半导体前沿技术与产业趋势展开深度交流，勾勒行业发展新图景。 

北京大学理学部副主任、教授沈波在报告中指出，以GaN、SiC为代表的第三代半导体有不可替代的优异性质，应用领域广泛，是国家重大需求和国际高科技产业竞争的关键领域之一，而我国在第三代半导体光电子、射频电子和功率电子领域均建立了较为完整的研发和产业体系。科技部、工信部等中央部委和广东、江苏、湖北等地方政府以设立重大、重点专项等方式对第三代半导体技术和产业给与了大力支持和扶持，极大的促进了我国第三代半导体技术和产业发展。

北京大学理学部副主任、教授沈波 

英诺赛科公司首席执行官吴金刚认为，因为性能和价格的优势，GaN FET将有望取代传统的Si MOS占有市场，预计GaN功率半导体市场将呈指数级增长，由2024年的人民币32.28亿元增长至2028年的人民币501.4亿元，复合年增长率为98.5%。面对这一战略机遇，吴金刚建议国内企业不断提升产能，打造生态体系并建立自己的行业标准。

英诺赛科公司首席执行官吴金刚 

长安汽车智能化研究院副总经理易纲指出，伴随芯片技术变革与全新产品属性升级，整车架构正朝着 “类人化” 智能体系演进，推动系统向高压化、集成化迭代，功能从单一硬件驱动转向 “服务化” 赋能，实现车辆 “智商”（智能决策能力）与 “情商”（人机交互体验）的双重进化。因此，要构建新型产业链协同关系，通过深度打通整车、零部件与芯片三大链条，推动整个产业链在有序协同中实现能级跃升。

长安汽车智能化研究院副总经理易纲

华中科技大学集成电路学院院长、国家集成电路产教融合创新平台主任缪向水在报告中表示，在高密度存储方向，硫系化合物相变材料凭借其优异的热稳定性与低损耗特性，有望突破三维堆叠与多态存储的瓶颈。在全光计算领域，其更是实现片上光计算与类脑信息处理的关键材料候选。华中科技大学将继续开发具备更高光学对比度、低吸收、长寿命材料，在3D堆叠结构中引入异构集成与热-电-光协同设计，构建具备“存算融合'与“异构协同”能力的原型系统。

华中科技大学集成电路学院院长、国家集成电路产教融合创新平台主任缪向水 

华工正源光子技术有限公司总经理胡长飞围绕光模块在数据中心及 AI 领域的应用展开分享，着重阐述了光模块在提升数据传输效率、降低能耗及运营成本中的关键作用。他指出，随着算力需求爆发式增长，光模块技术正沿着 “更高速率、更低功耗、更优成本” 的路径加速演进，技术演进路径清晰，每通道速率从 100G、200G 持续突破至 400G 及以上，并通过引入新型材料与先进封装工艺，不断提升集成度与传输效率。胡长飞还介绍了公司围绕 AI 算力需求开发的多元化产品矩阵，包括基于 DSP的高速率光模块系列，为数据中心网络架构升级提供了国产化解决方案。

华工正源光子技术有限公司总经理胡长飞 

深圳方正微电子有限公司副总裁彭建华表示，全球半导体产业链正经历深度迁移与重塑，东方力量在这一进程中迅速崛起。方正微敏锐捕捉产业变革机遇，在第三代半导体领域持续加大投入，研发费用及产线建设累计实际投入均位居国内行业首位。目前，公司已构建起覆盖 SiC 产品研发设计、外延及晶圆制造、器件与模组封测到终端服务的全流程 IDM 一体化平台，可提供包括 SiC 晶圆、功率器件、模组在内的系列化产品及技术解决方案，以全产业链协同优势赋能新能源汽车、可再生能源等战略领域。

深圳方正微电子有限公司副总裁彭建华

安世半导体宽禁带半导体、IGBT业务高级副总裁Edoardo Merli介绍了公司针对宽禁带半导体和IGBT业务的洞察和规划。安世半导体的目标是成为全球领先的半导体设计和制造商，将继续投资创新，扩大市场份额，并进入新的领域，如宽禁带技术和IGBT模块。安世半导体在全球范围内拥有强大的制造实力和市场基础，尤其是在欧洲和中国，并计划通过持续改进技术和扩大产品组合来维持其市场领先地位。

安世半导体宽禁带半导体、IGBT业务高级副总裁Edoardo Merli

山西烁科晶体有限公司总经理、中电科半导体材料有限公司副总经理李斌指出，国内SiC企业在8英寸到12英寸衬底技术迭代中进展迅猛，凭借长期数据积累与扩径工艺的关键突破，已形成显著的技术推进优势。他强调，高纯半绝缘SiC衬底在AR眼镜及散热封装领域展现出独特优势，随着工艺成熟正加速推进产业化进程，成为当前碳化硅衬底行业的竞争新焦点。尤其在AR显示领域，SiC材料因在光波导应用中的独特性能，伴随单位面积制造成本持续下降，其在AR终端核心部件中的产业化价值愈发凸显，有望推动相关细分市场快速落地。

山西烁科晶体有限公司总经理、中电科半导体材料有限公司副总经理李斌

高峰论坛的主题是领先破局之论：技术护城或规模为王，在东湖新技术开发区投资促进局局长谢齐威的主持下，业内领先企业和机构的代表纷纷分享自己的观点。

北京北方华创微电子装备有限公司化合物行业营销总裁李仕群：尽管短期内供应链、贸易等方面存在压力，但从历史经验来看，中国光伏行业在面临贸易双反对抗后，通过技术迭代和产业优化实现了快速成长，并在中国取得了90%以上的产能占比。在半导体领域，只要产业上下游诚信合作，充分利用好国内庞大的应用市场作为底牌，半导体的未来完全可以在国内发展起来。

云南锗业股份有限公司董事长包文东：企业需要自立自强，充分利用已有的国家支持和行业资源，积极寻求危机中的商机。云南锗业拥有丰富的矿山资源，正计划将其矿产进行深加工，提高附加值，同时也在向附加值更高的产品方向发展。

北京华大九天科技股份有限公司EDA中心总经理董森华：从2018年至2019年，中国EDA公司数量已从不到20家增长到超过100家，行业快速发展并在多个领域取得重大突破。现在中国的EDA产品已基本能够支撑化合物半导体的重要领域，如射频微波系统等，但要实现全面国产化替代，还需经历市场导入和规模化批量替换的过程。在这个过程中，核心技术和市场需求的协同配合至关重要。

英诺天使管理合伙人周全：尽管行业目前存在短期困扰，但长期来看对国内EDA和设备公司是利好。中国半导体行业过去十年间通过不断努力，在市场中取得了显著进步，市场份额增长迅速，如SiC等零部件产业有所发展。国家应该在人才培养、国产设备采购奖励机制、资本投入等方面加大支持。

香港微电子研发院行政总裁高腾：香港作为开放窗口，希望能加强与内地在半导体领域的合作，特别是在技术研发和人才培养上。例如，香港正计划建设一条8英寸的SiC中试线，并成立类似新加坡的研发机构，旨在引进先进制造业和微电子技术，利用其独特的政策优势和人才资源，抓住当前局势下可能出现的机会，帮助半导体微电子产业落地香港，同时也会与国内设备供应商及制造厂商开展密切合作，包括高端人才的培养和引进。

2025CSE现场直击  勾勒化合物半导体未来图景

本届展会规模再创新高，展览面积达2万平方米，六大主题展区覆盖从材料到设计、设备、制造及应用终端的化合物半导体全产业链，近300家展商外地参展商占比超70%，彰显化合物半导体产业热度与集群效应。

产业链核心环节全覆盖，从国产突破到全球领跑

行业头部FAB与化合物半导体设备厂商联袂亮相是展会的一大亮点。作为国内为数不多SiC全产业链垂直整合制造服务平台，三安能提供长晶、衬底制备、外延生长、芯片制造、封测全流程服务，实现产品迭代、质量、交付的全方位管控，在全球同行业中具有竞争力；方正微电子作为拥有超大规模Fab厂的企业，车规SiC MOS主驱芯片实际产能国内领先，其强劲的产品和产能实力，不断助力中国以及全球的新一代新能源基础设施高质量可持续发展升级；作为VCSEL芯片制造的领军者华芯半导体率先在国内以IDM模式实现了VCSEL芯片的大规模供应，在展会上重点展出了从10G到112G的VCSEL光通信芯片和射频芯片等；全球氮化镓龙头英诺赛科展台则摆放了其高性能氮化镓系列新产品，涵盖15V至1200V的各种低中高压应用场景，有晶圆、分立器件与IC以及模组参考设计方案等。

在设备展商中，华工激光作为光谷本土光电子信息产业链龙头企业，正加快布局化合物半导体，现场秀出了化合物半导体激光与量测先进装备的整体方案，包括全自动晶圆激光退火智能装备，晶圆激光表切智能装备等；北方华创作为外地参展商代表，MOCVD设备、离子注入机、化合物半导体刻蚀机、物理气相沉积系统等，以我国半导体设备龙头企业的硬核实力为化合物半导体产业提供有力支撑。

化合物半导体材料展商在现场同样表现亮眼。中国碳化硅晶片产业先锋天科合达聚焦碳化硅衬底与外延片的技术突破，引领国产化碳化硅衬底行业发展；先导科技集团高纯金属及外延生长材料、衬底/外延/晶圆、芯片及器件等展品，从稀土原材料到光器件以及终端方案应用的全链条创新彰显硬实力；稀有金属行业领军企业云南锗业展示了完整的锗材料产业链，重点包括13N超高纯锗单晶、卫星太阳能电池用锗单晶片、8N超高纯光纤级四氯化锗材料等......

此外，也有越来越多的化合物半导体产业“配套”企业加入展会。华康洁净推出洁净室系统集成化新技术、新产品与新服务，为工业电子、智能制造等新兴产业提供全方位的洁净环境保障。同为展会战略合作伙伴，和远气体展出了包括电子特气及电子化学品、电子级超纯大宗气体、硅基功能性新材料等在内的一系列创新型产品，电子气体是芯片制造上游原料之一，参与蚀刻、清洗、外延生长、离子注入等各个环节。

终端应用与特色展区引爆创新热潮

作为本届展会最受关注的板块之一，终端应用展区汇聚了东风汽车、华为数字能源、乐道汽车等领军企业。东风汽车在现场展出多款车型，包括硬派越野猛士917、岚图梦想家以及奕派007。猛士917基于东风自主开发的猛士智能越野架构M TECH打造，具备增程、纯电双动力版本，军车狮吼式阵列格栅，尽显霸气。岚图梦想家提供多座型选择，适配多元出行需求，奕派007的亮相更是展现了东风汽车在多领域的产品实力。除此之外，东风汽车还展出了车身域控制模块、单北斗车载通信控制器以及IGBT全桥模块等。

乐道汽车携家庭智能电动中型SUV乐道L60亮相展区。该车搭载NT.Coconut智能系统与254TOPS的OrinX芯片和高通8295P旗舰座舱芯片，智驾表现灵动又安心。900V高压架构加持下，续航达730km，快充换电无缝切换，轻松化解里程焦虑，宽敞车内空间化身移动生活舱，智能座舱配置拉满。

华为数字能源作为深耕电力能源领域的企业，现场展示了全液冷超充站、光储充一体化等解决方案，全液冷超充站利用高效液冷散热系统，即便在高速充电过程中也能保持电池最佳状态，可大幅缩短充电时间，有效缓解新能源车主补能焦虑。

 超充展区同样亮点纷呈，极氪能源携G系列、V系列超级充电桩登录展位，G系列液冷超级充电桩支持总功率240~960kW液冷终端和普通终端灵活配置，V 系列全液冷超级充电桩是极氪公司推出的高性能充电设备，单枪峰值功率可达800kW。英飞源展出了40kW液冷充电模块、800kW全液冷超充系统等，其中800kW全液冷超充系统作为第三代产品，采用液冷功率变换+液冷充电枪线的全液冷设计，配套立体散热的液冷储能系统，可以实现超充功率倍增，同时全液冷充电系统可以多柜并柜，实现MW级的充电功率输出。

在功率器件展区，GaNext展示了650V混合型常闭双向GaN场效应晶体管，G2B56系列采用顶部冷却表贴型封装，具有电气隔离的散热金属表面；萃锦半导体展示了全系列产品线，涵碳化硅SiC MOSFET、SiC Diode、硅基SJ MOSFET等各类模块产品，以及一款以1200V 40mΩ MOSFET为核心的定制化7kW MPPT电源方案；易能时代的60kW风冷散热直流充电模块，可满足各种大功率快充场景，据悉现已助力20+大型商业综合体、商超等快充场站，实现盈利；此外，还有赛晶亚太半导体展示的ED、ST封装、EP封装以及HEEV封装等SiC模块。

首设科研机构展区，全景式展示尖端科研力量

全球科学研究范式正在发生深刻改变，协同创新、开放创新已经成为不可阻挡的大势所趋。本届展会开创性地设立创新创业生态街区，首次实现国内化合物半导体科研资源的全景式汇聚，包括九峰山实验室、国家第三代半导体技术创新中心（深圳/苏州）、西安电子科技大学宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室、宽禁带半导体国家工程研究中心、广州第三代半导体创新中心、湖北光谷实验室、苏州纳米城、甬江实验室、西湖大学光电研究院、武汉格蓝若-陈学东院士工作站等，覆盖深圳、苏州、西安、武汉、重庆、南京、杭州、宁波、广州、佛山等核心区域的科研主力军，各自展示了其在不同领域的技术突破与创新成果。

例如九峰山实验室的异质集成工艺平台，联合微电子中心CUMEC的国产化800G硅光芯片工艺制造能力，西湖大学光电研究院的光电芯片特色工艺线，甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台等，都代表着我国化合物半导体领域的前沿研究水平。 

此外，金融服务机构参展亦成为展会的另一大焦点。湖北科投、长江产业集团、光谷产业投资、国创赋能中心、新微科技集团等产业创新孵化机构以及其孵化的本地企业如光谷芯材等，也在街区集聚展示，共绘化合物半导体领域的未来蓝图。 

行业精英聚一堂  共话未来新趋势

展会首日的展边会议同样座无虚席，观众嘉宾济济一堂。全球顶尖市场研究机构Yole Group车用电子首席分析师杨宇表示，汽车的“新四化”带来了创新的巨大飞跃，关于功率器件电动化则是汽车电子里增长比较快的部分。市场在不同地区展现出多样化策略，欧洲、美国与中国在电动化推进上各有侧重，比亚迪等企业通过创新在电池和电动技术领域占据领先地位。碳化硅与氮化镓等材料的应用则对提高电动车性能和效率至关重要，尤其是碳化硅技术随着衬底成本的持续下降，在提升电动车性能和效率上表现出巨大的市场潜力。

LightCounting高级市场分析师曹丽表示，在AI浪潮推动下，大模型的发展、算力需求的持续增长，AI芯片及网络技术的演进，光通信器件市场展现出蓬勃发展趋势。特别是光模块技术的进步，具有低功耗、高带宽、高密度的CPO以及OIO等技术，LightCounting相信客户会逐渐开始尝试使用并促进技术到市场的成熟。 

此外，展会第一天还有SiC单晶生长用等静压石墨标准、晶圆级有源硅光+薄膜铌酸锂异质集成技术平台也成功发布，同期电动汽车超充产业大会、功率器件论坛、2025半导体投资战略发展论坛也成功召开，众多来自产业界与科研院所的业界领袖、技术专家、科研学者为与会观众答疑解惑，分享真知灼见，展望行业未来发展趋势。

明日，干货满满的11大平行论坛即将开启，CSE展会也还剩2天

抓紧最后的观展参会机会！

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