重庆万国半导体申请沟槽型功率半导体器件及其制备方法专利，提高开关速度与线性区能力

专利摘要显示，本发明公开了一种具有栅极突起结构的沟槽型功率半导体器件及其制备方法，制备方法包括：在硅衬底上沉积外延层；在外延层上依次制备二氧化硅垫层、第一掩膜层和第二掩膜层；刻蚀形成栅极沟槽；形成栅氧化层；淀积栅极多晶硅；通过化学机械研磨去除第一掩膜层表面的栅极多晶硅；刻蚀去除第一掩膜层，并调整硅平台区上的栅极多晶硅形貌；过离子注入形成体区与源区；制备源区接触孔和钨栓。本发明中，在沟槽型功率半导体器件制备过程中形成栅极突起结构，解决了多晶硅蚀刻后增大沟道漏电的问题，并且通过增加栅极多晶硅横截面积减小了栅极电阻，提高了开关速度与线性区能力，优化了器件性能。

天眼查资料显示，重庆万国半导体科技有限公司，成立于2016年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本46093.126499万美元。通过天眼查大数据分析，重庆万国半导体科技有限公司参与招投标项目34次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息138条，此外企业还拥有行政许可19个。