国家知识产权局信息显示，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司申请一项名为“一种降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法”的专利，公开号 CN 119786337 A，申请日期为 2024 年 12 月。
专利摘要显示，本发明涉及一种降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法，包括以下步骤：第一步：进行缓冲层及外延层的生长；第二步：所述反应腔中压力保持不变，将氢气流量骤变至 10~50slm，同时通入 50~100slm 的氩气进行第一阶段降温；第三步：待所述反应腔中温度降至 1000~1200℃时，进行第二阶段降温；第四步：瞬间将氢气流量降至 0slm，氩气流量降至 10~30slm，同时恢复所述反应腔的内压；第五步：在氩气氛围下进行吹扫，吹扫完成后关闭氩气，静置后取出外延片。通过该方法可以将碳化硅外延薄膜表面的 Bump 缺陷密度降低至 0.03cm‑2 及以下，从而提高碳化硅外延片的质量，提高半导体器件的性能。
天眼查资料显示，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司，成立于2011年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本40409.276万人民币，实缴资本38819.2129万人民币。通过天眼查大数据分析，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目50次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息67条，此外企业还拥有行政许可69个。
