2025年4月9日，南智光电正式发布国内首个硅基薄膜钽酸锂光子芯片PDK：IOPTEE-Si-TFLT-600-V1.0，并同步开放该材料平台的光电芯片流片服务。继昨日发布两款铌酸锂光子芯片与MEMS芯片PDK引发业内广泛关注后，南智光电再度以技术创新打出“连击”，进一步完善了“薄膜铌酸锂+X”光电异质集成技术体系。
薄膜钽酸锂在光电子芯片领域展现出独特竞争力：其具备与薄膜铌酸锂近的高电光系数（约30 pm/V），支持超高速电光调制器和宽带光信号处理；同时，其热膨胀系数与硅基衬底更接近，结合优异的温度稳定性，显著降低热应力引发的器件形变或失效风险；更高的光损伤阈值则使其在高功率激光调制、强光场非线性光学（如量子纠缠光源）及超快激光系统中更具可靠性。目前，薄膜钽酸锂可应用于高速光互连及多光谱集成传感等领域，已成为下一代高性能光电子集成的核心材料候选。
IOPTEE-Si-TFLT-600-V1.0示意图
本次发布的PDK包含光波导、电光调制器、MMI分束器、端面耦合器等核心器件。其中光波导传输损耗低于0.6dB/cm，电光调制器带宽可达50GHz以上。
薄膜钽酸锂波导与电光调制器带宽测试结果
本次连续发布多款PDK，充分展示了南智光电在光电子产业领域持续的技术创新能力。南智光电平台始终坚持技术中立、开放赋能的原则，致力于为产业生态合作伙伴提供标准化、定制化的小批量研发和流片服务。此次推出的硅基薄膜钽酸锂PDK，将有效覆盖当前光通信、光传感、人工智能等热门领域，助力行业伙伴快速实现技术迭代与产品上市。
（来源：南智光电）
