近日，中微创芯“基于国产化逆导 IGBT（RC-IGBT）的智能功率模块（IPM）设计开发及产业化” 项目通过中国科学院兰州查新咨询中心科技查新！核心技术达国际先进水平，三项创新填补国内外空白，为我国半导体产业自主化再添重器！
突破 “卡脖子”！国产 IGBT 功率模块迎来里程碑
在全球半导体产业竞争白热化的今天，中微创芯以硬核技术突围，成功研发国产化逆导 IGBT（RC-IGBT）智能功率模块（IPM），一举攻克传统 IGBT 模块导通损耗高、体积大、可靠性差等难题。经权威查新机构认定，项目三大核心技术在国内外公开文献中未见相同报道，标志着我国在功率半导体领域实现从 “跟跑” 到 “并跑” 的关键跨越！
三大技术创新，定义行业新高度
1. 芯片结构革新：效率与集成双突破
首创 “沟槽栅 + 载流子存储层 + 场截止层” 三位一体设计，通过优化载流子浓度梯度，将导通压降低至1.6V（行业领先水平），能效比国内同类产品提升 20%；更突破性地将 IGBT 与 FRD 芯片集成于单一芯片，从源头缩小体积、提升可靠性。
2. 极致密度与鲁棒性：小尺寸大能量
芯片元胞尺寸从传统 6μm 骤降至2.4μm，功率密度达250A/cm²，模块体积缩小 35%；融合 Dummy 沟道与 SN 掺杂设计，短路耐量突破6μs，鲁棒性提升 50%，全面适配新能源汽车、工业变频等高功率场景的严苛需求。
3. 多物理场协同封装：工艺与性能双优化
基于热 - 电 - 结构三场耦合仿真，采用三维铜夹键合工艺，实现杂散电感≤5nH、热阻 0.8K/W 的优异性能，生产效率提升 40%，为高频工业应用提供稳定保障。
产业化落地！打破国外垄断进行时
项目已建成国内首条 RC-IGBT-IPM 专用产线，月产能达 20 万支，累计获得授权发明专利 7 项。产品成功应用于工业自动化、家电、新能源汽车等领域，与多家知名企业达成合作，从技术研发到市场应用形成完整闭环，真正实现 “中国芯” 的自主可控。
从 “替代” 到 “引领”，中微创芯开启新征程
此次科技查新通过，不仅是对中微创芯技术实力的权威认证，更标志着我国在功率半导体领域打破英飞凌、三菱等国际巨头的长期垄断，为 “中国智造” 注入强劲动能。未来，我司将持续深耕智能功率模块技术，推动国产半导体在新能源、高端装备等战略领域的深度应用，助力 “双碳” 目标实现！
（来源：中微创芯科技）
