4月2日下午，鲁晶半导体技术团队在徐文汇总经理的带领下，赴山东大学新一代半导体材料研究院开展碳化硅（SiC）功率器件技术交流活动。双方围绕SiC肖特基二极管、MOSFET器件的研发以及产业化应用等展开深度研讨，山东大学新一代材料研究院韩吉胜教授团队的七位专家学者共同参与，共探产学研协同创新路径。
技术研讨：聚焦碳化硅器件研发突破
双方重点交流了超高压5000V SiC肖特基二极管及大功率MOSFET器件的技术进展。鲁晶半导体技术团队分享了其在器件研发与制造中的阶段性成果，山东大学专家则从学术角度剖析了高频、高效、高温性能优化方案。双方一致认为，SiC功率器件凭借其耐高压、低损耗特性，将成为未来电力电子领域的核心技术方向，而鲁晶半导体的产业化经验与山东大学的科研实力为合作提供了强有力支撑。
市场应用：拓展新能源领域合作空间
鲁晶半导体技术团队重点推介了SiC器件在新能源汽车、光伏储能、充电桩等场景的应用潜力。山东大学专家则针对高功率密度、长寿命等需求提出优化建议。双方认为，SiC技术的规模化应用将显著提升能源效率，降低碳排放，为“双碳”目标提供关键技术支撑。
产学研协同：加速成果转化与产业升级
活动明确了校企协同创新机制：鲁晶半导体将依托山东大学新一代材料研究院平台及人才资源，强化技术研发能力；山东大学借助企业产业资源与市场渠道，推动科研成果快速转化。
双方将以此次合作为起点，构建“基础研究+技术攻关+产业落地”全链条创新体系，助力国产半导体自主可控。
未来展望：构建长期合作生态
双方达成深化合作协议，计划联合申报国家级科研项目，共建实验室，并推动技术标准制定。鲁晶半导体徐文汇总经理表示：“此次合作是产学研深度融合的典范，我们将以市场需求为导向，加速技术迭代，打造国际竞争力。”山东大学新一代材料研究院韩教授团队强调，校企合作是培养复合型人才、服务国家战略的重要途径。
此次交流标志着双方在碳化硅功率器件制备和应用领域迈出关键一步，未来将持续协同创新，为我国半导体产业升级与绿色转型注入新动能。
（来源：鲁晶芯城）
