半导体产业网获悉：3月27日，日本三垦电气株式会社（以下称“三垦电气”）于董事会上决议，将耗资约13亿日元（约6300万元人民币）收购拥有氮化镓（GaN）外延技术自主知识产权的株式会社Powdec（总部：栃木县小山市，法人代表：成井启修，以下称“Powdec”）的全部股份（以下称“本次收购”），特此公告。本次收购预定将于2025年4月1日完成。
随着功率半导体市场规模将持续扩大，尤其是GaN功率器件市场预计将迎来快速增长。三垦电气在2024年中期经营计划中提出，将化合物半导体器件作为重点发展的新技术领域，加大相关技术开发的投入力度，为实现业绩的持续增长，积极推进相关投资。此外，在推进尖端技术的研发的基础上，通过积极与外部企业合作，在加快研发速度的同时提高研发质量，以提升企业价值，以此作为公司的定位。
三垦电气表示，本次收购的Powdec公司拥有多项关于PSJ（Polarization Super Junction）技术的专利，能够实现高性能GaN功率器件。该公司在本公司今后重点拓展的GaN功率器件市场中，在技术力量方面拥有竞争优势。通过整合Powdec的先进技术，本公司可以谋求实现以下协同效应：通过应用于本公司的耐高压功率模块、功率器件，加速开发出具有相比传统Si-IGBT/MOSFET更好的耐高压、低损耗、低发热量、高速开关特性的GaN功率器件。利用本公司在控制技术方面的优势，开发最优化的GaN器件的驱动电路，并将其集成至同一封装内，提供更便于客户进行设计的产品。使本公司主要应用领域：汽车、白色家电、工业设备等行业的客户的终端产品的节能、小型、轻量化成为可能。另外，在CO²减排等环保领域的贡献也备受期待。
对于未来展望，三垦电气表示，本次收购预计耗资约13亿日元（约6300万元人民币）划计入2025年年报。若本次交易产生影响本公司合并业绩，需披露的重大事项时，我们将及时公告。另外，本公司将继续加大对以化合物半导体器件领域为主的高成长领域的投资，力争实现超越市场增速的发展，进一步提升企业价值。
另悉，本次三垦电气全资收购的Powdec株式会社与国内的远山新材料科技有限公司已建立了紧密的技术与产品合作关系，远山公司持有Powdec核心专利“PSJ”在国内的独家技术授权。去年12月，远山新材曾推出了基于PSJ蓝宝石基氮化镓技术的1200V系列GaN功率器件产品。随着作为日本电力电子与功率半导体行业龙头企业三垦电气正式入局GaN，相信未来中高功率氮化镓产品将加速切入工业级应用领域。
