国家知识产权局信息显示，苏州无热芯阳半导体有限公司申请一项名为“一种新型衬底及其氧化物半导体场效应晶体管”的专利，公开号 CN 119698120 A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种新型衬底及其氧化物半导体场效应晶体管所述新型衬底为砷化镓通过注入铝离子形成所述铝离子注入能量为100KeV～1000KeV，所述氢离子注入浓度为1.00E+12～9.00E+14，所述铝离子注入温度为35℃～350℃。所述氧化物半导体场效应晶体管，包括所述新型衬底，还包括第一布拉格反射层、隔离层、第二布拉格反射层、接触层。实验表明，本发明的氧化物半导体场效应晶体管，与现有氧化物半导体场效应晶体管相比，可有效减少耗电量20‑30％，显著增加电导通效率15‑20％，也可有效增强导热特性，从而提高使用寿命，还省电。
天眼查资料显示，苏州无热芯阳半导体有限公司，成立于2023年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币，实缴资本200万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州无热芯阳半导体有限公司专利信息2条，此外企业还拥有行政许可5个。
