山东晶镓申请一种紫外光催化辅助的氮化镓晶圆抛光方法专利,提高了氮化镓晶圆的抛光效率

日期:2025-03-21 阅读:228
核心提示:国家知识产权局信息显示,山东晶镓半导体有限公司申请一项名为一种紫外光催化辅助的氮化镓晶圆抛光方法的专利,公开号 CN 119635

国家知识产权局信息显示,山东晶镓半导体有限公司申请一项名为“一种紫外光催化辅助的氮化镓晶圆抛光方法”的专利,公开号 CN 119635419 A,申请日期为2024年12月。

专利摘要显示,本发明属于半导体制造技术领域,尤其涉及一种紫外光催化辅助的氮化镓晶圆抛光方法,包括如下步骤:S1,将研磨冲洗后的氮化镓晶圆固定于抛光机的夹具上;S2,对抛光机的密封舱进行抽真空处理,直至真空度达到设定的真空度阈值,然后向密封舱内充入氧气,直至密封舱内氧气的压力值达到设定的压力阈值;S3,打开紫外灯和加热器,紫外灯照射抛光液,加热器将抛光液加热到设定的温度并维持该温度恒定,然后启动抛光机,对氮化镓晶圆进行抛光;S4,对抛光完成后对氮化镓晶圆进行清洗。本方法提高了氧化速率,进而提高了氮化镓晶圆的抛光效率。

天眼查资料显示,山东晶镓半导体有限公司,成立于2023年,位于济南市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1307.1895万人民币。通过天眼查大数据分析,山东晶镓半导体有限公司参与招投标项目2次,专利信息9条,此外企业还拥有行政许可5个。

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