据海沧区融媒体中心消息，士兰微电子旗下厦门士兰集宏半导体有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目正式全面封顶。
据悉，士兰集宏项目总投资120亿元，分两期建设，总建筑面积达23.45万㎡。其中，一期投资70亿元，预计2025年四季度初步通线，2026年一季度试生产，达产后年产能42万片8英寸SiC芯片。二期投产后总产能将提升至72万片/年，成为全球规模领先的8英寸SiC功率器件产线，项目以SiC MOSFET为核心产品，主要服务于新能源汽车主驱逆变器、光伏逆变器、智能电网等高需求领域。
士兰微电子董事会秘书、副总裁陈越表示，总投资70亿元的一期项目，将尽最大努力争取在今年年底实现初步通线，明年一季度投产，到2028年底最终形成，年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。较好地满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。
据介绍，士兰集宏项目全面达产后，预计年产值超120亿元，可满足国内40%以上的车规级SiC芯片需求，并带动上下游产业链集聚厦门，加速第三代半导体材料、设备国产化进程。此外，士兰微已实现第Ⅳ代SiC MOSFET芯片量产，其主驱模块已获国内知名车企批量采购，技术实力进一步巩固。
