氮化镓与碳化硅技术凭借性能优势，正重塑电力电子、通信及新能源产业格局，未来将形成互补共存的应用生态，推动全球半导体产业向高效、低碳方向转型。
2月27日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”在重庆山城国际会议中心盛大召开。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与三安光电股份有限公司 共同主办，极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业、重庆三安半导体有限责任公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办，重庆大学、 重庆邮电大学、湖南三安半导体有限责任公司等单位协办。
28日精彩继续，其中，“分论坛二：氮化镓及其他功率半导体技术及应用”，围绕氮化镓、氧化镓功率半导体技术及应用，氮化镓、金刚石功率半导体技术及应用，氮化镓、氧化镓及金刚石功率半导体制造关键技术及装备等热点主题与方向，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入分享探讨。
厦门大学特聘教授康俊勇，南京大学教授修向前，南京大学教授陈鹏，西南交通大学电气工程学院教授马红波，湖南三安半导体高级研发经理刘成联袂主持了本次分论坛。
厦门大学特聘教授康俊勇
电子科技大学集成电路科学与工程学院王茁成博士做了“低功耗硅基氮化镓功率器件新结构”的主题报告，分享了相关研究进展与成果。
南京大学教授陈鹏做了“高压GaN基SBD功率器件研究进展”的主题报告，分享了其课题组近年来通过研究GaN SBD的击穿机制和器件工艺，研制超高压/低开起的GaN SBD的有关成果。
天通银厦新材料有限公司副总经理兼CTO康森做了“大尺寸蓝宝石晶圆技术进展及其半导体领域的应用趋势”的主题报告，分享了大尺寸蓝宝石晶圆在晶体生长、加工工艺及缺陷控制方面的技术突破与其在半导体领域的应用前景等内容。
西南交通大学电气工程学院教授马红波做了”基于GaN HEMT/SiC MOSFET的高频、高效电能变换与应用“的主题报告，结合其研究团队多年来在宽禁带器件方面的应用经验，面向数据中心、无线传能、航空航天等领域，从变换架构、软开关拓扑、控制方法、数字控制等方面介绍基于SiC MOSFET/GaN HEMT的高频、高效电力电子变换器设计，并指出其中的设计关键和考量。
西安电子科技大学教授许晟瑞做了”氮化物材料外延与p沟器件“的主题报告，分享了最新研究成果与进展。
浙江大学教授、杭州镓仁半导体有限公司董事长张辉做了“大尺寸高质量氧化镓单晶材料进展”的主题报告，介绍了相关研究进展与趋势。
大连理工大学副教授张赫之做了”氧化镓外延生长中扩展缺陷形成机制及其对功率器件影响“的主题报告，分享相关研究成果与进展，涉及β-Ga2O3厚膜外延中缺陷扩展的研究等内容。
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所副研究员钟耀宗做了”基于p-GaN二次外延的增强型HEMT材料与器件研究“的主题报告，分享了最新研究成果与进展。
重庆邮电大学讲师华润微电子（重庆）有限公司博士后、主任工程师高升做了”GaN功率器件关键技术与失效模式“的主题报告，分享了相关研究进展与成果。
湖南三安半导体有限责任公司高级研发经理刘成做了”应用于高效能源及智能终端的GaN功率电子器件技术及挑战“的主题报告，分享了相关趋势进展。
杭州云镓半导体科技有限公司器件研发经理李茂林做了”氮化镓功率器件与工业级应用前景“的主题报告，新能源领域，如微型逆变器和OBC等应用中，GaN器件结构的创新以及驱动集成技术的引入，将推动GaN功率器件挖掘出更大的性能与成本潜力。报告分享相关技术及应用趋势。
山东大学新一代半导体材料研究院博士后葛磊做了”金刚石CVD生长及光电器件制备研究进展“的主题报告，分享了相关研究成果进展。
北京特思迪半导体设备有限公司副总裁蒋继乐做了”金刚石材料精密抛光技术的研究进展“的主题报告，分享了最新研究进展。
南京大学教授修向前做了”大尺寸氮化镓衬底技术研究“的主题报告，介绍了相关研究成果进展。
南方科技大学研究教授汪青做了“GaN功率集成器件和感算一体传感系统研究”的主题报告，分享相关研究成果与进展，涉及首次实现基于电荷捕获层（Charge Trapping Layer，CTL）技术的单片集成反相器。并聚焦于CMOS集成电路中必不可少的单元 GaN p-FET 器件存在的欧姆接触和栅极刻蚀等关键问题，还介绍GaN气体传感器方面的工作，重点探讨 GaN 感算一体传感系统研究及其潜在应用。
松山湖材料实验室工程师王方洲做了“基于Schottky-MIS级联阳极结构的低功耗GaN横向功率二极管研究”的主题报告，分享相关研究成果与进展，涉及Schottky-MIS级联阳极结构等内容。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员游天桂做了“基于离子束剥离与转移技术的宽禁带半导体异质集成材料与器件”的主题报告，分享相关研究成果与进展，研究结果表明离子束剥离与转移技术可以发展成为制备宽禁带半导体异质集成材料的通用技术。
西安电子科技大学副教授付裕做了“硅终端金刚石场效应管研究进展”的主题报告，重点介绍硅终端金刚石界面机理、制备工艺、及其场效应晶体管应用等方面的研究进展，以期推动金刚石半导体功率器件的发展。
福州大学副教授许晓锐做了“高压低导通氧化镓功率二极管器件设计与关键工艺研究”的主题报告，围绕有效p型掺杂的缺乏导致器件终端电场调控难、p型氧化镍（p-NiO）空穴浓度高温易退化、增强型MOSFET所需的电流阻挡层（CBL）缺陷密度高等关键问题，分享了相关研究进展与成果。
重庆师范大学蒋佶利做了“超宽禁带氧化镓基日盲深紫外光电探测器”的主题报告，重点介绍了相关研究成果。涉及高透明Ga2O3薄膜的制备与改性；日盲深紫外探测器件设计与性能优化；器件概念性应用开发。
中国科学院半导体微电子研究所助理研究员姚毅旭做了“深能级瞬态谱在GaN基异质结功率器件中的应用”的主题报告，深能级瞬态谱（DLTS）技术作为宽禁带半导体器件缺陷表征的核心方法，为解决GaN基HEMT/MIS-HEMT等器件的可靠性难题提供了关键支撑。报告详细介绍了相关成果。
论坛期间，西安电子科技大学教授许晟瑞主持下，围绕着“900V及以上GaN器件应用趋势和技术发展方向、 650V-900V大功率应用场景下GaN与SiC器件的竞争及GaN器件的竞争力”、“蓝宝石，硅，以及氮化镓 等衬底的氮化镓器件，未来谁更有王者风范？ ”、“30V及以下低压器件的应用前景及技术难点”、“第三代半导体电力电子器件可靠性判断，以及实际应用路径”、“基于12寸大尺寸Si基先进制程产线GaN器件技术的优势”、“商用GaN功率器件后续的技术发展趋势”等主题，南京大学教授陈鹏、三安半导体研发经理刘成、西南大学教授马红波、聚能创芯总经理袁理等嘉宾与现场观众，展开探讨，分享交流，观点碰撞，现场气氛热烈。
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