当前，8英寸碳化硅晶圆智能制造围绕工艺升级、产业链协同和成本优化等方向发展，技术突破与规模化应用将推动产业从“产能扩张”向“高质量交付”转型，加速新能源、通信等领域的低碳化进程。
2月27日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”在重庆山城国际会议中心盛大召开。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与三安光电股份有限公司 共同主办，极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业、重庆三安半导体有限责任公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办，重庆大学、 重庆邮电大学、湖南三安半导体有限责任公司等单位协办。
28日精彩继续，“分论坛一：8英寸碳化硅晶圆智能制造”，围绕8英寸晶体、外延及器件技术 大规模生产制造、关键耗材及制造工艺优化，关键材料及工艺装备、器件及可靠性设计，SiC 器件设计及产品创新应用等主题，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业二十余位代表共同深入探讨，追踪最新进展。
杭州海乾半导体有限公司董事长孔令沂，山东山大华天科技集团股份有限公司总工程师迟恩先，浙江大学特聘研究员任娜，国家新能源汽车技术创新中心总师、动力系统业务单元负责人刘朝辉，湖南三安半导体有限责任公司技术副总许志维，重庆邮电大学教授、华润微电子（重庆）有限公司技术专家陈伟中联袂主持了本次论坛。
杭州海乾半导体有限公司董事长孔令沂
湖南三安半导体科技有限公司总经理助理高玉强做了“高质量8英寸碳化硅单晶材料技术发展与挑战”的主题报告，报告指出，目前三安8英寸碳化硅单晶材料的质量指标已经与6寸量产指标持平甚至超越。
赛迈科先进材料股份有限公司CTO、副总经理吴厚政做了“精细石墨元件：化合物半导体高质量产业化的关键支撑”的主题报告。详细阐述了精细石墨在复合半导体制造、产品设计以及等石墨结构分析中的应用，重点介绍了碳材料产品设计的关键控制点，重点关注产品设计理念和基本产品功能的选择，先进碳材料的发展趋势和行业内的当前产业实践，以及利用精细石墨技术开发的新产品在化合物半导体工艺中的示范应用等。
北京北方华创微电子装备有限公司SiC外研工艺技术经理胡伟杰做了”SiC外延装备技术研究及产业协同”的主题报告，降低成本是SiC领域的重要诉求，对外延设备带来更高挑战，报告详细分享了SiC外延市场分析及挑战、SiC材料外延装备解决方案等最新进展。
南方科技大学副教授叶怀宇做了”碳化硅器件封装和失效分析“的主题报告，分享了相关研究成果与进展。
合肥阳光电动力科技有限公司电控硬件主管万富翔做了”新一代功率器件并联技术在电驱系统的应用“的主题报告，分享了目前市场发展背景和趋势，新一代功率器件并联平台的特点，及驱动系统关键技术最新进展及研究成果。
重庆大学教授曾正做了“车用碳化硅功率器件：机遇与挑战”的主题报告，详细阐述了车用碳化硅功率器件的行业需求、应用现状、技术挑战和发展趋势，为下一代车用碳化硅功率器件的研发与应用提供参考。
浙江大学特聘研究员任娜做了“基于P型碳化硅衬底材料的结势垒肖特基二极管及其光电特性”的主题报告，分享了最新研究成果，研究基于该p型衬底和外延材料研制出了JBS器件，并深入探讨了器件的雪崩特性、电导调制效应以及光电特性等。
河南中宜创新芯发展有限公司董事长孙毅做了“碳化硅半导体粉体进展”的主题报告，分享了相关进展趋势，报告指出，我国碳化硅材料产业迎来“百团大战”，需要合理竞争，建立良性产业生态，加强行业合作，推动国内产业的快速发展。
湖南三安半导体有限责任公司技术副总许志维介绍了三安半导体业务进展，包括三安SiC MOSFET技术平台以及后续规划与技术难题等。涉及8吋衬底&外延产品路线图，SiC分立器件和模块技术路线等。
重庆平创半导体CTO王晓做了“纳米铜烧结：功率器件封装互联技术的新篇章”的主题报告，介绍了相关研究进展。
台达电子企业管理（上海）有限公司绿能汽车电源设计部电子设计副经理王小磊做了“第三代功率半导体在车载电源中的应用和挑战”的主题报告，分享了新能源汽车市场状况，功率半导体在车载电源中的应用及挑战等。
重庆大学研究员蒋华平做了“碳化硅MOSFET动态阈值漂移”的主题报告，针对2022年特斯拉Model 3召回事件从器件本体和电路回路参数差异两个方面展开分析，揭示碳化硅MOSFET动态阈值漂移规律及其背后的物理机理，并提出相应的解决方法。
埃克斯工业有限公司总裁李杰做了“AI赋能半导体制造生态”的主题报告，剖析AI技术在半导体行业的发展趋势，并结合埃克斯自主研发的核心技术，赋能半导体智能制造，特别是在功率半导体领域，解决产业在智能化过程中出现的痛点及难点，为国内功率半导体智能制造领域提供解决方案。
中南大学教授汪炼成做了“功率半导体模块关键互连集成研究”的主题报告，介绍课题组在功率模块互连工艺和技术方面研究，包括纳米银烧结机理与致密化工艺研究，BGA-双面散热模块互连，凸台式衬板互连，铜夹互连等，实现倒装焊接BGA+纳米银烧结双面功率模块，倒装Spacer 双面功率模块，凸台式DBC功率模块封装。
山东大学副研究员钟宇做了“高功率碳化硅肖特基二极管技术及产业化”的主题报告，分享山东大学团队研发的碳化硅肖特基二极管工艺，最高能够承受5000V电压，单管正向电流高达200A。
芯弦半导体系统应用总监王昊做了“实时控制MCU国产化现状及趋势”的主题报告，分享了最新趋势进展。
华润微电子产品线高级总监马荣耀做了“SiC MOS技术进步驱动行业变革”的主题报告，介绍SiC产业发展现状，目前华润微在SiC产品技术上的突破和思考以及新SiC产品在应用方案上的表现。
国家新能源汽车技术创新中心总师、动力系统业务单元负责人刘朝辉做了“碳化硅芯片先进封装和热管理关键技术”的主题报告，结合市场发展背景和趋势，分享了最新技术进展。
泰克科技大中华区技术总监张欣做了“从参数测试道可靠性验证 新型功率器件的特性表征”的主题报告。报告分享了相关研究进展，并指出当前WBG功率器件面临诸多挑战，其中SiC MOSFET 的可靠性问题涉及SiC的栅氧化层可靠性(外在缺陷的测试、SiC的(动态)阈值电压漂移(BTI)、SiC MOSFET 在高 dv/dt 条件下的可靠性问题。应用端可靠性问题涉及失效机理不清晰，需要在真实应用场景下加速测试等。
山东山大华天科技集团股份有限公司总工程师迟恩先做了“SiC器件在电能质量优化与储能一体化装置中的应用”的主题报告，剖析SiC器件面临的诸多问题、应用展望以及探索。并提出了相应的解决方案，报告指出SiC器件的应用，驱动设计十分重要，尤其应注意合理布线。
重庆邮电大学教授、华润微电子（重庆）有限公司技术专家陈伟中做了“SiC MOSFET器件设计与集成技术”的主题报告，分享了相关进展与趋势。
论坛期间，浙江大学特任研究员任娜主持下，围绕着“8英寸碳化硅制造供应链最大的挑战在哪个技术环节? ”、“目前SiC行业陷入价格内卷，产业如何才能健康发展？”、“ 新能源汽车和光伏之后，下一个应用突破口会是什么？”等热门话题， 山大华天副总经理迟恩先、国家新能源汽车创新中心总师刘朝辉 、南砂晶圆副总经理于国建、赛迈科副总CTO 吴厚政等嘉宾与与现场观众展开探讨，分享现场气氛热烈。
（论坛内容详情，敬请关注半导体产业网、第三代半导体公号）
