自SK海力士官方获悉,2月24日,SK海力士韩国京畿道龙仁半导体集群内的SK海力士一期晶圆厂正式破土动工。
据了解,SK海力士去年7月通过董事会决议,决定投资约9.4万亿韩元(约合人民币476.58亿元)建设龙仁半导体集群一期晶圆厂及相关办公设施。根据更广泛的计划,SK海力士计划在龙仁集群内分阶段建设四座晶圆厂,一期工厂预计2027年5月竣工。该工厂建成后将成为高带宽存储器(HBM)等新一代DRAM存储芯片生产基地。
同时,该公司还在韩国中部的清州建设HBM生产设施,预计将于今年年底完工。
自SK海力士官方获悉,2月24日,SK海力士韩国京畿道龙仁半导体集群内的SK海力士一期晶圆厂正式破土动工。
据了解,SK海力士去年7月通过董事会决议,决定投资约9.4万亿韩元(约合人民币476.58亿元)建设龙仁半导体集群一期晶圆厂及相关办公设施。根据更广泛的计划,SK海力士计划在龙仁集群内分阶段建设四座晶圆厂,一期工厂预计2027年5月竣工。该工厂建成后将成为高带宽存储器(HBM)等新一代DRAM存储芯片生产基地。
同时,该公司还在韩国中部的清州建设HBM生产设施,预计将于今年年底完工。